第1章 成核理论第一章 成核理论1、相变驱动力指单个原子或分子由流体相转变为晶体相时引起的系统 的降低。
a、吉布斯自由能
b、熵
c、焓
d、内能
2、熔体生长晶体时，过冷度定义为晶体生长温度与 之差
a、沸点
b、三相点
c、熔点
d、平衡温度
3、催化成核情况下，当接触角q = 90°时，其成核的热力学位垒是其对应均匀成核热力学位垒的_____倍。
a、1/3
b、1/2
c、2
d、1
4、
a、
b、
c、
d、
5、非均匀成核指在亚稳相系统中空间成核优先出现在某些局部区域的过程。
6、成核催化剂指能有效增加成核位垒促进成核作用的物质。
7、胚团分布规律指由于复相起伏而存在于流体相中的胚团的分布规律。
8、晶核形成能（成核功）指形成一个晶核所需要的最大能量，由系统的能量涨落供给。
9、晶核指达到一定尺寸但有可能消失的胚团。
10、界面压力是指平衡态下弯曲界面两侧的 之差。
11、晶体生长大致可以分为晶核的_____________两个阶段。
12、成核率是指 内能够发展成为晶体的晶核数。
第2章 界面的平衡结构第2章 界面的平衡结构1、乌尔夫定理（wullf定理）是指在恒温恒压下，一定体积的晶体，与溶液或熔体处于平衡态时，它所具有的形态（平衡形态）应使其总的表面能 。
a、最大
b、最小
c、不确定
d、任意
2、奇异面指表面能极图中能量曲面上出现 的点所对应的晶面。
a、极大值
b、极小值
c、中值
d、变化值
3、界面相变熵是描述界面光滑与粗糙程度的参量，常用a表示，，a越大，界面越 。
a、粗糙
b、光滑
c、完整
d、不确定
4、划分界面类型的标准有：
a、界面是突变的还是渐变的
b、界面上存在吸附层，还是不存在吸附层
c、界面是光滑的，还是粗糙的
d、界面是完整的，还是非完整的
5、非奇异面指其它取向的晶面。
6、光滑界面从微观上看界面是光滑的，其上有台阶和扭折，呈层状生长，相当于奇异面。
7、粗糙界面从微观上看界面是凹凸不平的，到处是台阶和扭折，能连续生长，相当于非奇异面。
8、柯塞尔模型（kossel model）指描述非完整光滑突变界面的模型。
9、扭折指台阶的转折处。
10、台阶的平衡结构指在生长温度下，具有扭折的台阶才是台阶的平衡结构。
11、界面熔化指随着温度的升高，光滑界面突然转变成粗糙界面的过程。
12、扩散界面指相变发生在一个连续的间距范围内，不再限制界面的层数，又称为多层界面。
13、表面能极图指反映 与晶面取向关系的图形。
14、邻位面指取向在奇异面附近的晶面，它由一定组态的 构成。
15、双层界面指由晶体表层和 构成的界面，相变只发生在这两层原子间距范围内。
16、杰克逊模型（jackson model）指描述光滑粗糙突变界面的模型，又称为 模型。
17、特姆金模型（temkin model）指描述扩散界面的模型，又称为 模型。
第4章 单晶材料的制备第4章 单晶材料的制备1、气相生长法指从过饱和的蒸气相中结晶生长晶体的方法，具体分为 。
a、升华法
b、蒸气输运法
c、气相反应法
d、以上都是
2、水溶液生长法指从水溶液中生长单晶体的方法，具体分为 等。
a、降温法
b、流动法（温差法）
c、恒温蒸发法
d、凝胶法
3、降温法生长关键控制技术包括 等。
a、精确控制降温速率
b、合理的供热方式和搅拌程序
c、轻放轻取不引入应力
d、选择合理的生长速率
4、等属于正常凝固法。
a、晶体提拉法
b、坩埚移动法
c、晶体泡生法
d、弧熔法
5、等属于逐区凝固法。
a、水平区熔法
b、浮区法
c、基座法
d、焰熔法
6、由两种或两种以上物质所组成的均匀混合体系称为溶液。
7、溶解度可以用在一定条件(温度、压力)下饱和溶液的浓度来表示。
8、育晶缸是水溶液法培育晶体的核心装置。
9、水热生长法指在高温高压下的过饱和水溶液中进行结晶的方法。
10、高压釜是水热法生长装置，要求密封性能良好，能够承受高温高压，耐腐蚀。
11、熔盐生长法指在高温下从熔融盐溶剂中生长晶体的方法，又称为助熔剂法，高温溶液法。
12、助熔剂指能降低其物质的软化、熔化或液化温度的物质。
13、正常凝固法又称为溶质保守系法，它的特点是开始生长时，除籽晶外全为熔体，生长时不再向熔体添加材料，以晶体的长大和熔体的减少而告终。
14、逐区熔化法又称为溶质非保守系法，它的特点是生长体系由晶体、熔体和多晶原料三部分所组成，生长过程中体系存在着两个固－液界面，需要不断向熔区中添加材料来维持熔区体积不变，最终以晶体长大和多晶原料耗尽而结束生长。
15、固态的纯物质在熔点温度以上转变为液相称为 。
16、熔体生长法指从 中生长晶体的方法，是制备大单晶体和特定形状晶体的最常用和最重要的方法之一。
17、晶体提拉法 (czochralski method)指在装有熔融物料的坩埚上方，让提拉杆下端夹有的籽晶与坩埚内的熔体接触，然后缓慢向上提拉和转动 ，同时降低加热功率，籽晶就逐渐长大的技术。它的生长流程主要包括熔融→下种→收颈→放肩→收肩→等径生长→收尾等。
18、坩埚下降法（b-s法）它是通过缓慢降低温度，让熔体在坩埚中逐步冷却而凝固结晶的方法。这个过程既可以让结晶炉不动，通过下降 来实现；也可以让坩埚不动，结晶炉沿着坩埚上升；或坩埚和结晶炉都不动，而是通过缓慢降温来实现生长。