期中考试半导体器件基础期中考试1、下面哪一种方法是不能提高npn晶体管的发射效率
a、提高发射区的掺杂浓度
b、采用宽禁带基区材料
c、减小基区掺杂浓度
d、减少发射结复合电流
2、以下能够有效增加npn晶体管输出电阻的途径为
a、增加发射区掺杂浓度
b、增加基区掺杂浓度
c、增加集电区掺杂浓度
d、减少发射结结深
3、在大电流的情况下，导致双极型晶体管增益下降的原因是
a、发射极电流集边效应
b、发射结复合电流
c、early 效应
d、webster 效应
4、在双极型晶体管中，提高集电区掺杂浓度可以抑制：
a、集电区穿通效应
b、early 效应
c、基区穿通效应
d、webster效应
5、以下关于npn晶体管反向特性描述错误的是
a、icbo
b、bvceo < bvcer < bvces
c、浮动电压 veb(fl)<0
d、bvcex >bvcer
6、下面哪种措施不能提高双极型晶体管的开关速度：
a、减小集电区的掺杂浓度
b、在集电区引入产生-复合中心
c、减小集电区宽度
d、减小基区宽度
7、下面哪种方式无法减少pn结的扩散电容:
a、减小少子寿命
b、减小结面积
c、减小掺杂浓度
d、减小正向直流偏压
8、以下哪个量直接体现rbb'的影响是：
a、ft
b、tb
c、te
d、fm
9、npn管子高频情况下，以下关系正确的是
a、ft > fa
b、fb > fa
c、| b*|f=ft (fb d、tb=wb/2dnb
10、下面哪一种不是异质结双极型晶体管的特点
a、基区禁带宽
b、基区宽度窄
c、基区掺杂浓度高
d、特征频率高
11、设想一个理想的pnp双极型晶体管, dpb=10 cm^2/s， tpb=1e-7 s。请设计基区的宽度w=（ ）um，使基区输运系数b*=0.9967.
12、一个npn硅晶体管基区宽度为2 mm，基区掺杂浓度为5e16 cm^-3，少子寿命为1e-6 s，基区少子扩散系数为15 cm^2/s，发射极电流密度为0.1 a/cm^2，计算在发射结基区一边的非平衡电子浓度，发射结电压以及基区输运因子（精确到小数点后4位,si的ni=1.45e10 cm^-3）。
期末考试
半导体器件基础期末考试
1、衬源短接的增强型nmosfet，vds>0正常开启时，衬底表面电势最低点出现在？
a、源区
b、沟道区靠近源区一侧
c、沟道区靠近漏区一侧
d、漏区
2、导致mosfet晶体管出现非零漏电导的因素不包括
a、沟道长度调制效应
b、漏电场静电反馈效应
c、漏感应势垒降低
d、亚表面穿通效应
3、mosfet晶体管的截止频率与下面哪种参数无关：
a、氧化层电容
b、沟道长度
c、载流子迁移率
d、电源电压
4、在mosfet的平方律模型中，下列关于沟道电势v(y)说法________正确
a、仅在体电荷qb的计算中忽略了v(y)
b、仅在氧化层压降vox的计算中忽略了v(y)
c、在体电荷qb和氧化层压降vox的计算中均忽略了v(y)
d、在体电荷qb和氧化层压降vox的计算中均考虑了v(y)
5、减小nmosfet晶体管的亚阈摆幅措施为
a、增加氧化层厚度
b、提高沟道区掺杂浓度
c、降低沟道长度
d、增加衬-源反偏电压
6、以下哪个因素导致nmosfet阈值电压升高？
a、源漏电荷分享
b、窄沟道效应
c、漏感应势垒降低效应
d、载流子速度饱和效应
7、对于沟道长度足够短的mosfet，其饱和区漏源电流
a、∝(vgs -vt)^2
b、∝w/l
c、∝l
d、∝cox
8、已知al2o3的相对介电常数为10，若使用它作为替代1.2纳米 sio2（er=3.9）的高k栅介质层材料，所需al2o3的厚度为
a、0.5 nm
b、3.1 nm
c、0.9 nm
d、1.7 nm
9、对于恒定电场规则下的等比例缩小原理，假设vt可以等比例缩小k倍，pn结内建势可以忽略，下述描述错误的是
a、源漏pn结耗尽区宽度缩小k倍
b、沟道电阻不变
c、饱和区跨导缩小k倍
d、栅极总电容缩小k倍
10、在pmos器件中，如果将栅极从铝换成p 多晶硅，那么晶体管的阈值电压变化（dvt）等于
a、-0.5v
b、-1v
c、0.5v
d、1v
11、下面哪种方式是无法减少mos器件的亚阈值摆幅
a、减少衬底掺杂浓度
b、减少sio2/si界面处的固定电荷密度
c、减少氧化层厚度
d、降低器件工作温度
12、下面哪种方式是不能够抑制mos器件的gidl电流
a、减少栅极氧化层厚度
b、减少硅表面缺陷密度
c、减少漏极电压
d、减少漏极掺杂浓度
13、关于不同位置的氧化层电荷对阈值电压的影响，下列说法中正确的是 。
a、靠近栅极界面的电荷比靠近半导体界面的电荷影响更大
b、靠近半导体界面的电荷比靠近栅极界面的电荷影响更大
c、靠近栅极界面的电荷与靠近半导体界面的电荷的影响相同
d、靠近氧化层中间位置的电荷影响更大
14、当衬源零偏时，某nmos管的阈值电压为1 v。现将该mos管衬底接地，源接0.5 v，则恰好能使该mos管开启的栅电位最有可能是 。
a、0.5 v
b、1 v
c、1.5 v
d、1.8 v
15、关于缓变沟道近似（gca），下列说法中正确的是 。
a、gca成立条件是沿沟道方向（电流前进方向）电场强度远小于栅感应电场（半导体表面电场）
b、强反型时可以用gca，但亚阈值时不能用gca
c、用了gca后，反型电荷面浓度与沟道中位置无关
d、用了gca后，可以把二维问题转化为一维
16、将宽长比为5，氧化层厚度为2 nm，电子迁移率为600 cm^2/vs的nmos器件用作可控电阻器。为了要在源漏电压较小的时候获得开态电阻等于300w，请问（vgs-vt）应为( )v。
17、一个n 多晶硅栅极nmos晶体管，其氧化层厚度tox=20nm，衬底掺杂浓度na=5e16 cm^-3，界面固定正电荷密度qf=2e11 cm^-2，沟道长度l=1mm，宽度w=10mm，电子迁移率mn=950 cm^2/vs，计算其阈值电压为（ ）v。（结果保留两位小数，si的ni=1.45e10 cm^-3）
18、考虑一长沟增强型nmosfet，w=15um，l=2um，cox=6.9e-8 f/cm^2。已知在线性区vds=0.1v固定不变时，vgs=1.5v时，ids=35ua；vgs=2.5v时，ids=75ua。请确定该器件的反型载流子迁移率为( )cm^2/vs。（结果保留一位小数）
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