第一讲 半导体导论（已上线下课作为复习用）第一节 本征半导体随堂测验1、在绝对零度（0 k）时，本征半导体中（）载流子。
a、有
b、没有
c、少数
d、多数
2、在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生（）。
a、负离子
b、空穴
c、正离子
d、电子-空穴对
3、半导体中的载流子为（）。
a、电子
b、空穴
c、正离子
d、电子和空穴
4、半导体中的空穴是（ ）。
a、半导体中的晶格缺陷形成的
b、电子脱离共价键后留下的空位
c、带正电的离子
d、外部注入
5、本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。
6、半导体中的空穴带正电。
第二节 杂质半导体随堂测验1、n型半导体中的多子是（）。
a、电子
b、空穴
c、正离子
d、负离子
2、p型半导体中的多子是（）。
a、电子
b、空穴
c、正离子
d、负离子
3、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。
a、掺杂工艺
b、杂质浓度
c、晶体缺陷
d、温度
4、在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） 。
a、温度
b、掺杂工艺
c、杂质浓度
d、晶体缺陷
5、在本征半导体中加入（）元素可形成n型半导体。
a、五价
b、四价
c、三价
d、任意
6、在本征半导体中加入（）元素可形成p型半导体。
a、五价
b、四价
c、三价
d、任意
7、p型半导体带正电，n型半导体带负电。
8、在n型半导体中，掺入高浓度的三价硼元素可以改型为p型半导体。
第三节 pn结随堂测验1、在下列说法中只有（）说法是正确的。
a、p型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得
b、在n型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以改型为p型半导体
c、p型半导体带正电，n型半导体带负电
d、pn结内的扩散电流是载流子在电场作用下形成的
2、在下列说法中只有（）说法是正确的。
a、漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的
b、由于pn结交界面两边存在电位差，所以，当把pn结两端短路时就有电流流过
c、pn结方程可以描述pn结的正向特性和反向特性，也可以描述pn结的反向击穿特性
d、扩散电流是少子运动产生的
3、当pn结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流。
a、大于
b、小于
c、等于
d、不确定
4、当pn结外加反向电压时，扩散电流（）漂移电流。
a、大于
b、小于
c、等于
d、不确定
5、下列说法正确的是（）。
a、pn结正偏导通，反偏导通
b、pn结正偏截止，反偏导通
c、pn结正偏导通，反偏截止
d、pn结正偏截止，反偏截止
6、当p型半导体和n型半导体相接触时，在p型和n型半导体交界处，形成一个区域，下列的哪种名称不能描述该区域？
a、阻挡层
b、耗尽层
c、空间电荷区
d、突变层
7、一个平衡pn结，用导线将p区和n区连起来，而导线中（）。
a、有微弱电流
b、无电流
c、有瞬间微弱电流
d、有较大电流
8、pn结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
第二讲 二极管基础（已上线下课，作为复习用）第一节 二极管的组成随堂测验1、半导体二极管的重要特性之一是（）。
a、温度稳定性
b、单向导电性
c、放大作用
d、滤波特性
2、整流电路中的二极管应采用点接触型二极管。
3、在高频电路中的检波管通常采用点接触型二极管。
第二节 二极管的伏安特性和电流方程随堂测验1、在如图所示的电路中，当电源v1＝5v时，测得i＝1ma。若把电源电压调整到v1＝10v，则电路中的电流i的值将是（）。
a、i = 2ma
b、i < 2ma
c、i > 2ma
d、i = 0ma
2、二极管两端电压大于（）电压时，二极管才导通。
a、击穿电压
b、死区
c、饱和
d、0v
3、在保持二极管反向电压不变的条件下，二极管的反向电流随温度升高而（）。
a、增大
b、不变
c、减小
d、不确定
4、用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的（）电阻，由于不同量程时通过二极管的电流（），所测得正向电阻阻值（）。
a、静态、相同、相同
b、动态，相同，相同
c、静态，不同，不同
d、动态，不同，不同
5、设某二极管在正向电流id＝10ma时，其正向压降ud＝0.6v。当二极管的结温升高10℃，若要ud保持不变，则id的值为（）。
a、小于10ma
b、大于10ma
c、等于10ma
d、不确定
6、设二极管的端电压为u，则二极管的电流方程是（）。
a、
b、
c、
d、
7、在25ºc时，某二极管的死区电压uth≈0.5v，反向饱和电流is≈0.1pa，则在35ºc时，下列哪组数据可能正确。
a、uth≈0.525v，is≈0.05pa
b、uth≈0.525v，is≈0.2pa
c、uth≈0.475v，is≈0.05pa
d、uth≈0.475v，is≈0.2pa
8、设某二极管反向电压为10v时，反向电流为 0.1μa 。在保持反向电压不变的条件下，当二极管的结温升高10℃，反向电流大约为（ ）。
a、0.05μa
b、0.1μa
c、0.2μa
d、1μa
第三节 二极管的主要参数随堂测验1、关于二极管的反向电流，下列说法正确的是（）。
a、反向电流越大越好
b、反向电流越大二极管的单向导电性越好
c、反向电流越大二极管的温度稳定性越不好
d、反向电流越大二极管的温度稳定性越好
2、若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为（）。
a、正、反向电阻相等
b、正向电阻大，反向电阻小
c、反向电阻远大于正向电阻
d、正、反向电阻都很大
3、当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流is将增大，是因为此时pn结内部的（）。
a、多数载流子浓度增大
b、少数载流子浓度增大
c、多数载流子浓度减小
d、少数载流子浓度减小
4、二极管只要反偏，必然截至。
5、二极管的单向导电性与信号频率无关。
第三讲 二极管电路分析及应用（已上线下课作业复习）第一节 二极管电路分析思路随堂测验1、电路的静态和动态之间相互独立，没有联系。
2、在电子电路分析过程中，应先动态后静态。
3、将放大电路没有交流信号输入，只有直流电源单独作用的状态称为 。
4、将放大电路有交流信号输入的状态称为 。
第二节 二极管电路图解分析方法随堂测验1、下图所示二极管电路及负载线，当增大vdd时，静态工作点将（）移动。
a、向上
b、向下
c、不动
d、不确定
2、下图所示二极管电路及负载线，当增大r时，静态工作点将（）移动。
a、向上
b、向下
c、不动
d、不确定
3、图解法可以非常直观的反映电路参数与性能的关系。
4、只要静态工作点位置合适，交流信号就一定不会进入非线性区。
第三节 二极管等效模型随堂测验1、二极管折线模型可等效为下列（）线性网络。
a、
b、
c、
d、
2、在下图所示电路中的电阻r保持不变，ui=0.2sinωt(v)。当直流电源v增大时，二极管d的动态电阻rd将（）。
a、不变
b、增大
c、减小
d、不确定
3、下列哪一个公式可以估算折线模型中的二极管动态电阻（）。
a、
b、
c、
d、
4、二极管等效模型在以下哪些情况不能使用（）。（注：多选）
a、静态工作点位于线性区
b、静态工作点位于非线性区
c、交流小信号
d、交流大信号
5、二极管恒压降模型中的电源意味着二极管是一个供能元件。
第四节 二极管等效模型分析法随堂测验1、电路如图所示。试估算a点的电位为（）。（设二极管的正向导通压降为0.7v。）
a、6.7v
b、6v
c、5.7v
d、-6.7v
2、二极管电路如图所示，其中二极管为理想二极管，则电路的输出电压vo为 （）。
a、5.6v
b、-4.3v
c、-5v
d、6v
3、在如图所示电路中，计算可得流过二极管的电流id为（）。（设二极管导通时的正向压降ud=0.7v）。
a、0ma
b、3.6ma
c、2.75ma
d、4.8ma
4、电路如图所示，d1，d2 均为理想二极，设 u1 =10 v，ui = 40 sinωt， 则输出电压 uo 应为（）。
a、最大值为 40v，最小值为 0v
b、最大值为 40v，最小值为 10v
c、最大值为 10v，最小值为 －40v
d、最大值为 10v，最小值为 0v
5、估算如图所示电路中，流过二极管的电流id为 （）。（设二极管d正向导通压降ud=0.7v）
a、约1.3ma
b、约2.3ma
c、约4 ma
d、约1.8 ma
第五节 常见二极管应用电路随堂测验1、电路如图所示，设二极管d1，d2，d3的正向压降忽略不计，则输出电压uo =（ ）。
a、－2v
b、0v
c、6v
d、12v
2、图中二极管可视为理想二极管，a、b、c三个灯具有完全相同的特性，其中最亮的灯是（ ）。
a、a
b、b
c、c
d、一样亮
3、二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电压vo为（）。 (设二极管的导通压降为0.7v。)
a、0v
b、-0.7v
c、-1.7v
d、1v
4、在如图所示电路中，二极管是理想的，电阻r=6ω。当普通指针式万用表置于r×1ω档时，用黑表笔（正电）接a点，红表笔（负电）接b点，则万用表的指示值为（）。
a、18ω
b、9ω
c、3ω
d、2ω
5、图中各二极管的导通压降均为0.7v，uo= v。
第五讲 双极型晶体管（已上线上课作为复习）第一节 晶体管的结构和工作原理随堂测验1、npn型晶体管的符号是（）。
a、
b、
c、
d、
2、pnp型晶体管的符号是（）。
a、
b、
c、
d、
3、晶体管有（ ）个pn结。
a、1
b、2
c、3
d、4
4、晶体管的三个极为（）。（注：多选）
a、阳极
b、基极
c、发射极
d、集电极
5、晶体管是一种将输入电流进行放大的半导体元器件。
第二节 晶体管的放大原理随堂测验1、工作在放大状态的某pnp晶体管，各电极电位关系为（）。
a、vc
b、vc>vb>ve
c、vc d、vc>ve>vb
2、晶体管在放大状态时，其电压偏置条件为（）。
a、集电结正向偏置、发射结正向偏置
b、集电结正向偏置、发射结反向偏置
c、集电结反向偏置、发射结反向偏置
d、集电结反向偏置、发射结正向偏置
3、双极型晶体管的电流是由（）运动形成的。
a、多子
b、少子
c、多子和少子两种载流子
d、自由电子
4、在某放大电路中三极管工作在放大状态，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 v，-10 v，-9.3 v，则这只三极管是（）。
a、npn 型硅管
b、npn 型锗管
c、pnp 型硅管
d、pnp 型锗管
5、npn型三极管放大电路中，测得三极管三个引脚对地电位分别是：ua=3.3v，ub=4v，uc=6v，则a、b、c对应的电极是（）。
a、c，b，e
b、b，c，e
c、e，c，b
d、e，b，c
6、下列哪个式子正确的描述了晶体管的电流放大能力（）。
a、ie=βib
b、ic=αib
c、ic=βib
d、ie=αib
7、双极型三极管由两个pn结构成，因此可以用两个二极管背靠背相连构成一个三极管。
8、晶体管的发射区和集电区均为同种类型的半导体，所以发射极和集电极可以调换使用。
第三节 晶体管的伏安特性随堂测验
1、晶体管是（ ）器件。
a、电流控制电流
b、电流控制电压
c、电压控制电压
d、电压控制电流
2、管压降uce增大，共发射极接法的晶体管的输入特性曲线（）。
a、左移
b、右移
c、上移
d、下移
3、晶体管的输出特性描述的是当（）为常数时，（）随（）变化的函数。
a、ic ib uce
b、ib ic uce
c、uce ib ube
d、uce ic ib
4、某晶体三极管的ib 从20μa变化到40μa时，对应的ic从2ma变化到5ma，则该管的β等于（）。
a、100
b、150
c、200
d、300
5、对于小功率晶体管，可以用uce大于1v的一条输入特性曲线来取代uce大于1v的所有输入特性曲线。
第四节 晶体管的工作区随堂测验
1、已知某晶体管ube=0.7v，uce=3v，则该管工作在（）区。
a、放大
b、饱和
c、截止
d、击穿
2、在实际电路中判别晶体管是否工作在饱和状态，最简单的是测量（）。
a、ib
b、uce
c、ube
d、ic
3、当晶体管工作在截止区，发射结和集电结偏置状态应为（）。
a、前者正偏，后者也正偏
b、前者正偏，后者反偏
c、前者反偏，后者正偏
d、前者反偏，后者也反偏
4、pnp型晶体三极管工作在截止区的条件是（）。
a、ube>0，ucb>0
b、ube>0，ucb<0
c、ube<0，ucb>0
d、ube<0，ucb<0
5、晶体管的开关作用是（）。
a、饱和时集-射极断开，截止时集-射极断开
b、饱和时集-射极断开，截止时集-射极接通
c、饱和时集-射极接通，截止时集-射极断开
d、饱和时集-射极接通，截止时集-射极接通
6、某放大电路如图所示。设vcc>>ube，iceo≈0，则在静态时该三极管处于（）。
a、放大区
b、饱和区
c、截止区
d、区域不定
7、如图所示的电路中的三极管β=50，通过估算，可判断电路工作在（）区。
a、放大区
b、饱和区
c、截止区
d、击穿区
8、在如图所示共射放大电路中，三极管β＝50，ube＝－0.2。问：当开关与a处相接时，三极管处于（）状态。
a、放大
b、饱和
c、截止
d、击穿
第五节 晶体管的主要参数随堂测验
1、温度上升时，半导体三级管的（）。
a、β和ube增大，icbo减小
b、β和icbo增大，ube下降
c、β减小，icbo和ube增大
d、β、icbo和ube均增大
2、某晶体管的极限参数pcm=150mw，icm=100ma，ubr(ceo)=30v，若其工作电压uce=10v和uce=1v时，则工作电流分别不得超过（）。
a、100ma，100ma
b、15ma，100ma
c、15ma，150ma
d、100ma，15ma
3、3dg6型晶体管的集电极的最大允许电流icm=20ma，发射极反向击穿电压u(br)ceo=20v，集电极的最大允许耗散功率pcm=100mw，使用时测得其集电极电流ic=15ma，uce=10v，则该管（）。
a、工作正常
b、放大能力较差
c、击穿
d、管子过热甚至烧坏
4、测量得到晶体管三个电极的静态电流分别为0.06ma，3.66ma和3.6ma，晶体管的共射电流放大系数β（）。
a、60
b、61
c、100
d、50
5、晶体管在大电流工作时，随ic的增加β值将（）。
a、增加
b、下降
c、不变
d、不确定
6、三极管的反向电流icbo是由（）运动产生的。
a、多数载流子
b、少数载流子
c、多数载流子和少数载流子
d、不确定
7、温度升高时，放大电路中的晶体管的输出特性曲线将（）。
a、上移并间距缩小
b、下移并间距增大
c、上移并间距增大
d、下移并间距缩小
8、某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管（）。
a、处于放大区域
b、处于饱和区域
c、处于截止区域
d、已损坏
第四讲 其他类型的二极管（已上线下课作为复习）
第一节 稳压二极管基础随堂测验
1、以下哪个符号是稳压二极管的符号（）。
a、
b、
c、
d、
2、稳压管的稳压区是其工作在（）区。
a、正向导通
b、死区
c、反向截止
d、反向击穿
3、某只硅稳压管的稳定电压uz = 4v，其两端施加的电压分别为 5v（正向偏置）和－5v（反向偏置）时，稳压管两端的最终电压分别为（）。
a、 5v和-5v
b、-5v和 4v
c、 4v和-0.7v
d、 0.7v和-4v
4、稳压二极管构成的稳压电路，其正确接法是（）。
a、稳压管与负载电阻串联
b、限流电阻与稳压管串联后，负载电阻再与稳压管串联
c、稳压管与负载电阻并联
d、限流电阻与稳压管串联后，负载电阻再与稳压管并联
5、稳压二极管的正向特性与普通二极管正向特性基本一致。
第二节 稳压二极管的应用随堂测验
1、设硅稳压管dz1和dz2的稳定电压分别为5v和8v，正向压降均为0.7v，可求出图中电路的输出电压vo为（）。
a、13v
b、5v
c、8v
d、1.4v
2、设硅稳压管dz1和dz2的稳定电压分别为5v和8v，正向压降均为0.7v，可求出图中电路的输出电压vo为（）。
a、4.3v
b、8v
c、5v
d、0.7v
3、设硅稳压管dz1和dz2的稳定电压分别为5v和8v，正向压降均为0.7v，可求出图中电路的输出电压vo为（）。
a、4.3v
b、8v
c、5v
d、0.7v
4、在如图所示电路中，已知稳压管dz1、dz2的稳定电压分别为6v和7v，且具有理想的稳压特性，可求得输出电压为（）。
a、1v
b、6v
c、13v
d、7v
5、在如图所示电路中，已知稳压管dz1、dz2的稳定电压分别为6v和7v，且具有理想的稳压特性，可求得输出电压为（）。
a、6v
b、7v
c、5v
d、1v
6、下图所示电路中，稳压管dz的稳定电压vz = 6v，最小稳定电流izmin = 5ma，输入电压vi = 12v，电阻r=100ω，在稳定条件下il的数值最大不应超过（）。
a、40ma
b、45ma
c、55ma
d、60ma
第三节 其他类型的二极管随堂测验
1、能够进行光电转换的二极管是（）。
a、发光二极管
b、光电二极管
c、稳压二极管
d、变容二极管
2、发光二极管的符号是（）。
a、
b、
c、
d、
3、变容二极管是利用二极管的结电容可变的原理工作的。
4、普通二极管也可以稳压（）。
5、所有的二极管都工作在正偏状态（）。
第六讲 晶体管放大电路基础（已上线下课，复习用）
第一节 放大的概念与放大电路的性能指标随堂测验
1、某放大电路在输入电压为0.1v时，输出电压为8v；输入电压为 0.2v时，输出电压为 4v（均指直流电压）。则该放大电路的电压放大倍数为（）。
a、80
b、40
c、－40
d、20
2、电压放大器的输入电阻高，表明其放大微弱信号能力（）。
a、强
b、弱
c、一般
d、不确定
3、放大电路a、b的放大倍数相同，但输入电阻、输出电阻不同，用它们对同一个具有内阻的信号源电压进行放大，在负载开路条件下测得a的输出电压小，这说明电路a的（）。
a、输入电阻大
b、输入电阻小
c、输出电阻大
d、输出电阻小
4、对于电流放大电路来说，输出电阻（）越好。
a、越小
b、越大
c、随意
d、不确定
5、只有电路既放大电压又放大电流，才称其具有放大作用。
6、放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。
7、可以在放大电路通电情况下，用欧姆表测量该放大电路的输出电阻。
8、已知某放大电路的输出电阻为3kω，在接有4kω负载电阻时，测得输出电压为2v。在输入电压不变的条件，断开负载电阻，输出电压将上升到（ ）v。
9、放大电路当接入一个内阻等于零的电压信号源时，测得的输出电压为4v，在信号源内阻增大到1kω，其它条件不变时，测得输出电压为3v，该放大电路的输入电阻为（）kω。
第二节 放大电路的偏置和组态随堂测验
1、共发射极放大电路信号从（）。
a、基极输入，集电极输出
b、发射极输入，集电极输出
c、基极输入，发射极输出
d、发射极输入，基极输出
2、共基极放大电路信号从（）。
a、基极输入，集电极输出
b、发射极输入，集电极输出
c、基极输入，发射极输出
d、发射极输入，基极输出
3、共集电极放大电路信号从（）。
a、基极输入，集电极输出
b、发射极输入，集电极输出
c、基极输入，发射极输出
d、发射极输入，基极输出
4、下图所示放大电路中，t1和t2管分别构成（）组态电路。
a、共射 共射
b、共集 共基
c、共射 共基
d、共射 共集
5、下图所示放大电路中，t1和t2管分别构成（）组态电路。
a、共集 共射
b、共集 共基
c、共射 共基
d、共射 共射
6、阻容耦合放大电路不能放大（）。
a、高低频混合信号
b、语音信号
c、交变信号
d、直流信号
7、直接耦合放大电路的静态工作点易受影响，低频特性好，易于集成。
第三节 共射放大电路的工作原理随堂测验
1、基本共射放大电路中，基极电阻rb的主要作用是（）。
a、把基极电流的变化转化为输入电压的变化
b、限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路
c、保护信号源
d、防止输出电压被短路
2、电路中的晶体管原处于放大状态，若将rb调至零，则晶体管（）。
a、仍处于放大状态
b、处于饱和状态
c、过热烧毁
d、处于截止状态
3、基本共射放大电路中，集电极电阻rc的主要作用是（）。
a、限制集电极电流的大小
b、防止信号源被短路
c、保护直流电压源
d、将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量
4、在单级共射放大电路中，在中频小信号情况下，若输入电压ui为正弦波，则uo和ui的相位（）。
a、同相
b、反相
c、超前90度
d、滞后90度
5、在单级共射放大电路中，在中频小信号情况下，若输入电压ui为正弦波，则ui和ic的相位（）。
a、同相
b、反相
c、超前90度
d、滞后90度
6、在图示基本共射放大电路中，放大电路中的直流分量来源于（）。
a、晶体管
b、直流电源
c、信号源
d、耦合电容
7、在放大电路中，直流、交流分量共存，两种信号分量的作用不同。
8、对放大电路进行分析，采取先动态后静态的分析方法。
第七讲 bjt放大电路静态分析（已上线下课，复习用）
第一节 直流通路和交流通路随堂测验
1、理想情况下，下列器件中对直流信号相当于断路的是（）。
a、电容
b、电感
c、理想直流电压源
d、理想直流电流源
2、如图所示电路的直流通路为（）。
a、（a）
b、（b）
c、（c）
d、（d）
3、可画出如图所示放大电路的交流通路为图（）。
a、(a)
b、(b)
c、(c)
d、(d)
4、根据放大电路的组成原则，在下图所示各电路中只有图（）具备放大条件。
a、（a）
b、（b）
c、（c）
d、（d）
5、理想情况下，下列器件中对交流信号相当于短路的是（）。（注：多选）
a、电容
b、电感
c、理想直流电流源
d、理想直流电压源
第二节 静态分析估算法随堂测验
1、
a、ibq=20μa,icq=2ma,uceq=-2v
b、ibq=20.8μa,icq=2.1ma,uceq= 2v
c、ibq=20μa,icq=2ma,uceq=-4v
d、ibq=20.8μa,icq=2.1ma,uceq= 4v
2、
a、ibq=10μa,icq=1ma,uceq=6.4v
b、ibq=21μa,icq=2.1ma,uceq=12v
c、ibq=10μa,icq=1ma,uceq=5.6v
d、ibq=21μa,icq=2.1ma,uceq=10.6v
3、电路如图所示，已知ucc＝12v，rc＝3kω，β＝40且忽略ube，若要使静态时uce＝9v，则rb 应取（）。
a、600 kω
b、240 kω
c、480 kω
d、360 kω
4、对于如图所示放大电路，当用直流电压表测得vce≈vcc时，有可能是因为（）。
a、rb开路
b、rl短路
c、rc开路
d、rb过小
5、对于如图所示放大电路，当用直流电压表测得vce≈0时，有可能是因为（）。
a、rb开路
b、rl短路
c、rc短路
d、rb过小
6、对于如图所示放大电路，若vcc≈12v，rc＝2kω，集电极电流ic计算值为1ma，今用直流电压表测得vce＝8v，这说明（）。
a、工作正常
b、三极管c－e极间开路
c、三极管b－e极间开路
d、电容c2短路
第三节 静态分析图解法随堂测验
1、直流负载线的斜率是（）。
a、-1/rc
b、-1/rl
c、.-1/rb
d、
2、如图所示，某固定偏置单管放大电路的静态工作点原来位于q2，若将直流电源ucc适当增大，则静态工作点将移至（）。
a、q1
b、不变
c、q3
d、q4
3、下图所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由q1点移动到q2点可能的原因是（）。
a、电源ucc电压变高
b、集电极负载电阻rc变小
c、集电极负载电阻rc变大
d、基极回路电阻rb变大
4、下图所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由q2点移动到q3点可能的原因是（）。
a、电源ucc电压变高
b、基极回路电阻rb变大
c、集电极负载电阻rc变大
d、基极回路电阻rb变小
5、图 (b)示出了图 (a)固定偏流放大电路中三极管的输出特性，其中①为直流负载线，可求得电源电压vcc为（）。
a、6v
b、7v
c、8v
d、7.5v
6、图 (b)示出了图 (a)固定偏流放大电路中三极管的输出特性，其中①为直流负载线，可求得电阻rb的值约为（）。
a、420kω
b、350kω
c、200kω
d、265kω
7、图 (b)示出了图 (a)固定偏流放大电路中三极管的输出特性，其中①为直流负载线，可求得电阻rc的值约为（）。
a、120kω
b、3kω
c、265kω
d、30kω
第八讲 bjt放大电路微变等效电路法（线下课复习）
第一节 bjt基本放大电路交流分析思路随堂测验
1、下列（）情况下，可以用微变等效模型分析放大电路。
a、中高频大信号
b、中低频大信号
c、中低频小信号
d、中高频小信号
2、等效电路分析方法可以不必关心静态工作点，因此不需要进行静态分析。
3、对于大信号作用下的放大电路分析，可以采用图解法分析。
4、对三极管电路进行静态分析时，可将三极管用微变等效模型替代。
第二节 bjt混合参数模型的建立随堂测验
1、在bjt混合参数模型中，下列参数的量纲为欧姆的是（）。
a、hie
b、hre
c、hfe
d、hoe
2、在bjt混合参数模型中，下列参数的量纲为西门子的是（）。
a、hie
b、hre
c、hfe
d、hoe
3、在bjt混合参数模型中，输入端口等效为（）。
a、输入电阻和受控电压源的并联
b、输入电阻和受控电压源的串联
c、输入电阻和受控电流源的串联
d、输入电阻和受控电流源的并联
4、在bjt混合参数模型中，输出端口等效为（）。
a、输出电阻和受控电压源的并联
b、输出电阻和受控电压源的串联
c、输出电阻和受控电流源的串联
d、输出电阻和受控电流源的并联
5、bjt混合参数模型的建立与静态工作点无关。
第三节 bjt混合参数模型的简化随堂测验
1、bjt混合参数模型中，代表晶体管的电流放大能力的参数是（）。
a、hie
b、hre
c、hfe
d、hoe
2、下图（）为简化后的npn型晶体管h参数等效模型。
a、
b、
c、
d、
3、bjt混合参数模型中，rbe表明了输入电压ube对输入电流ib的控制能力，其值不可以忽略。
4、bjt混合参数模型中，hre表明了输出回路uce对输入回路ube影响的程度，大多数情况下，其值不可以忽略。
5、在所有等效模型分析方法的应用中，晶体管输出电阻rce都可以忽略不计。
第四节 bjt混合参数的确定随堂测验
1、pnp管的简化h参数等效模型为（）。
a、
b、
c、
d、
2、在共发射极交流放大电路中，（）是正确的。
a、
b、
c、
d、
3、
a、1.3
b、1.5
c、1.4
d、1.6
4、有关rbe，下列说法中正确的是（）。（注：多选）
a、rbe是晶体管的动态等效输入电阻
b、rbe的大小与温度无关
c、rbe的值与静态工作点无关
d、只有经过静态分析才能确定rbe的值
5、有关bjt混合参数模型，即h模型，下列说法不正确的是（）。（注：多选）
a、该模型不能分析直流信号
b、只要静态工作点在线性区，h模型就成立
c、模型中受控电流源的方向必须与ib方向一致
d、该模型对信号的频率没有要求
6、bjt混合参数模型中hfe通常可以在晶体管参数手册上获得。
第五节 微变等效电路法随堂测验
1、如图所示放大电路的h参数小信号等效电路为（）。
a、
b、
c、
d、
2、
a、
b、
c、
d、
3、下图电路中的电容可视为理想。用h参数小信号模型可求得电压放大倍数表达式为（）。
a、
b、
c、
d、
4、下图电路中的电容可视为理想。用h参数小信号模型可求得输入电阻表达式为（）。
a、
b、
c、
d、
5、下图电路中的电容可视为理想。用h参数小信号模型可求得输出电阻表达式为（）。
a、
b、
c、
d、
6、在如下基本共射放大电路中，当β一定时，在一定范围内增大ie，电压放大倍数|au|将（）。
a、增大
b、减小
c、不变
d、不确定
第九讲 bjt放大电路动态分析图解法（已上线下课，复习用）
第一节 交流负载线分析随堂测验
1、共射放大电路如图所示，图解分析法中，交流负载线的斜率是（）。
a、-1/rl
b、-1/rc
c、-1/rl’ (rl’=rl//rc)
d、-1/rb
2、通常情况下，交流负载线比直流负载线要陡些。
3、交流负载线和静态工作点无关。
4、共射放大电路输出与输入相比，幅度被放大了，频率不变，相位相同。
5、在放大电路的交流负载线分析中，需将动态信号叠加在静态工作点上。
第二节 非线性失真分析随堂测验
1、在由npn型bjt组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生（）失真。
a、截止失真
b、饱和失真
c、双向失真
d、线性失真
2、由npn型三极管组成的单管共射放大电路，如下图（左）所示，已知输入正弦信号、输出信号波形（右图），则它属于（）。
a、交越失真
b、饱和失真
c、截止失真
d、频率失真
3、在下图所示放大电路中，逐渐增大正弦输入电压幅度，发现输出电压出现底部削平失真，如果这时保持输入不变，减小rl，将会出现（）现象。
a、底部失真加重
b、底部失真减轻或消失
c、将同时出现顶部和底部削平失真
d、失真不变
4、在下图所示的放大电路中，原来没有发生非线性失真，然而在换上一个β比原来大的三极管后，失真出现了，这个失真必定是（）。
a、截止失真
b、饱和失真
c、饱和失真和截止失真同时出现
d、交越失真
5、图示电路vcc=12v，rc=3kω，静态管压降uceq=6v，并在输出端加负载电阻rl，其阻值为3kω，该电路的最大不失真输出电压有效值为（）。
a、2v
b、3v
c、6v
d、5v
6、放大电路如下图（左）所示，输入电压ui与输出电压uo的波形如下图（右）所示，为使输出电压波形不失真则应（）。（注意：多选）
a、增加rc
b、增加rb
c、减小rb
d、减小rc
7、只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
8、非线性失真都是静态工作点不合适造成的。
第十讲 静态工作点稳定技术（已上线下课，复习用）
第一节 静态工作点稳定需求分析随堂测验
1、对于固定偏置放大电路，随着温度升高，容易使放大电路出现（）。
a、截止失真
b、饱和失真
c、频率失真
d、交越失真
2、对于固定偏置放大电路，当室温升高时，其三极管icq（）。
a、增大
b、减小
c、不变（或基本不变）
d、不定
3、对于固定偏置放大电路，当室温升高时，静态工作点将（）。
a、降低
b、升高
c、不变（或基本不变）
d、不定
4、在温度变化、三极管老化、电源电压波动等外部因素的影响下，将引起静态工作点的变动，其中影响最大的是（）。
a、温度变化
b、三极管老化
c、电源电压波动
d、信号频率变化
5、ib不变的情况下，当温度升高，ube将增大。
6、随着温度升高，icbo增大。
第二节 稳定静态工作点的典型电路及其原理随堂测验
1、对于如图所示射极偏置电路，当室温升高时，三极管的uceq（）。
a、增大
b、减小
c、不变（或基本不变）
d、不定
2、对分压偏置共射放大电路而言，需要满足（）条件，静态工作点才能得以基本稳定。（注：多选）
a、
b、
c、
d、
3、分压偏置共射放大电路稳定静态工作点的关键要素包括（）。（注：多选）
a、晶体管性能稳定，β不随温度变化
b、基极电位基本恒定，不随温度变化
c、电阻具有热补偿作用
d、re引入直流电流负反馈
4、之所以射极偏置电路可以稳定静态工作点，其本质是re引入了直流负反馈。
5、分压偏置共射放大电路能够稳定静态工作点，即ubeq、ibq、uceq、icq均保持基本不变。
第三节 分压偏置共射放大电路的静态分析随堂测验
1、在下图所示放大电路中，已知vcc=12v，rb1=27kω，rc=2kω，re=1kω，ube=0.7v，现要求静态电流icq=3ma，则rb2约为（）。
a、12kω
b、10kω
c、8kω
d、16kω
2、在图示电路中，已知3dg4的β=30，则有关静态时的ibq、icq、uceq的估算值正确的是（）。
a、ibq=258μa,icq=8.0ma,uceq=4v
b、ibq=62.4μa,icq=1.9ma,uceq=16.2v
c、ibq=385μa,icq=11.9ma,uceq=-3.8v
d、ibq=220μa,icq=6.6ma,uceq=6.8v
3、图示电路中，欲增大uceq，可以（）。
a、增大rc
b、增大rb2
c、增大rb1
d、减小rb1
4、分压式偏置工作点稳定电路，当β＝50时，ib=20μa，ic=1ma。若只更换β＝100的晶体管，而其他参数不变，则ib和ic分别是（）。
a、10μa，1ma
b、20μa，2ma
c、30μa，3ma
d、40μa，4ma
5、当用直流电压表测出uce≈vcc，可能是因为（）。
a、rc开路
b、rc短路
c、rb1开路
d、rb2开路
6、在分压偏置共射放大电路中，re取值越大越好。
第四节 分压偏置共射放大电路的动态分析随堂测验
1、
a、-7.8
b、-159
c、-2.4
d、-2
2、
a、1.6 kω
b、3.7 kω
c、2.5 kω
d、5.3 kω
3、
a、2.5 kω
b、10 kω
c、4 kω
d、5 kω
4、分压式偏置单管共射放大电路的发射极旁路电容ce因损坏而断开，则该电路的输入电阻将（）。
a、增大
b、减小
c、不变
d、不定
5、如下所示电路中，欲提高放大电路的电压放大倍数，可以（）。
a、减小rc
b、增大β
c、增大re
d、增大rb2
6、如下所示电路中，若将发射极旁路电容ce去掉，则哪些参数发生变化？（）（注：多选）
a、电压放大倍数
b、输入电阻
c、输出电阻
d、静态工作点
第十一讲 其他组态的bjt放大电路（已上线下课，复习用）
第一节 基本共集放大电路随堂测验
1、下列哪个电路中含有共集放大电路？（）。
a、
b、
c、
d、
2、在单极射极输出器电路中，输出电压uo与输入电压ui之间的关系是（）。
a、两者反相，输出电压大于输出电压
b、两者同相，输出电压近似等于输入电压
c、两者同相，输出电压大于输出电压
d、两者反相，输出电压近似等于输入电压
3、如下图所示电路，β＝80，rbe=1kω。当rl=3 kω时，电压放大倍数为（）。
a、1.3
b、0.996
c、0.992
d、-0.992
4、如下图所示电路，β＝80，rbe=1kω。当rl=3 kω时，输入电阻约为（）。
a、1kω
b、76 kω
c、110 kω
d、56 kω
5、如下图所示电路，β＝80，rbe=1kω。当rl=3 kω时，输出电阻约为（）。
a、37ω
b、1.5kω
c、3kω
d、12ω
6、射极跟随器具有（）特点。（注：多选）
a、电流放大倍数高
b、电压放大倍数高
c、电压放大倍数近似于１且小于１
d、输入电阻高，输出电阻低
7、下列场合适用射极输出器的包括（）。（注：多选）
a、作为多级放大电路的输入级
b、作为多级放大电路的缓冲级
c、作为多级放大电路的输出级
d、单独作为放大器使用
第二节 基本共基放大电路随堂测验
1、分析下图所示共基放大电路，rc减小时，静态电压uceq将（）。
a、增大
b、减小
c、变化不大
d、不确定
2、下图所示共基放大电路的三极管为硅管，ube=0.7v，rbb’=200ω，β=100，可求得该电路的电压放大倍数为（）。
a、60
b、56
c、51
d、66
3、下图所示共基放大电路的三极管为硅管，ube=0.7v，rbb’=200ω，β=100，可求得该电路的输入电阻ri为约（）。
a、22ω
b、13ω
c、26ω
d、18ω
4、下图所示共基放大电路的三极管为硅管，ube=0.7v，rbb’=200ω，β=100，可求得该电路的输出电阻ro为（）。
a、2.1kω
b、1.3kω
c、2.6kω
d、1.8kω
5、对于基本共基放大电路，下列说法正确的是（）。（注：多选）
a、具有电压放大作用，反相放大
b、具有电压放大作用，同相放大
c、不能放大电压
d、不能放大电流
6、共基放大电路较强的电压放大能力，因此可以单独作为电压放大器使用。
第三节 三种组态放大电路的对比随堂测验
1、在单级放大电路的三种接法中，它们相互比较起来正确的说法是（）。
a、共发射极电路的电压增益最大、输入电阻最小、输出电阻最小
b、共集电极电路的电压增益最小、输入电阻最大、输出电阻最小
c、共基极电路的电压增益最小、输入电阻最小、输出电阻最大
d、共发射极电路的电压增益最小、输入电阻最大、输出电阻最大
2、为了使高阻输出的放大电路（或高阻信号源）与低阻负载（或低输入电阻的放大电路）很好地配合，可以在高阻输出的放大电路与负载之间插入（）。
a、共射电路
b、共集电路
c、共基电路
d、任何一种组态的电路
3、为了把一个低阻输出的放大电路（或内阻极小的电压源）转变为高阻输出的放大电路（或内阻尽可能大的电流源），可以在低阻输出的放大电路后面接入（）。
a、共射电路
b、共集电路
c、共基电路
d、任何一种组态的电路
4、放大电路的三种组态（）。
a、都有电压放大作用
b、都有电流放大作用
c、都有功率放大作用
d、都不是
5、可以放大电流，但不能放大电压的是（）组态放大电路。
a、共射
b、共集
c、共基
d、不确定
6、在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，输入电阻最小的是（）组态。
a、共射
b、共集
c、共基
d、不确定
7、既能放大电压，也能放大电流的是（）组态放大电路。
a、共射
b、共集
c、共基
d、不确定
第四节 复合管放大电路随堂测验
1、下图电路中可以构成复合管的是（）。
a、
b、
c、
d、
2、下图电路中构成的是（）类型的复合管。
a、npn
b、pnp
c、为复合管，其等效类型不能确定
d、三极管连接错误，不能构成复合管
3、对于复合管共射放大电路，下列说法正确的是（）。
a、电压放大倍数比单管放大电路的大
b、电压放大倍数比单管放大电路的小
c、输入电阻明显增大
d、电流放大倍数基本不变
4、如图所示复合管，已知t1的β1 = 30，t2的β2 = 50，则复合后的β约为（）。
a、1500
b、80
c、50
d、30
5、如图所示复合管，t1和t2管的放大系数分别为β1和β2，输入电阻分别为rbe1和rbe2，则复合管的输入电阻为（）。
a、rbe1
b、rbe2
c、rbe1 （1 β1 ） rbe2
d、rbe2 （1 β2 ） rbe1
6、任意两个三极管组成的复合管，其输入电阻都比单管的输入电阻大。
第十二讲 频率响应基础（线上课第六周周四）
第一节 频率响应问题的提出随堂测验
1、
a、没有产生失真
b、产生了非线性失真
c、产生了幅度失真
d、产生了相位失真
2、
a、没有产生失真
b、产生了非线性失真
c、产生了幅度失真
d、产生了相位失真
3、放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（）。
a、耦合电容和旁路电容的存在
b、半导体管极间电容和分布电容的存在
c、半导体管的非线性特性
d、放大电路的静态工作点不合适
4、放大电路在低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（）。
a、耦合电容和旁路电容的存在
b、半导体管极间电容和分布电容的存在
c、半导体管的非线性特性
d、放大电路的静态工作点不合适
5、当某阻容耦合放大电路输入一个方波信号时，输出电压波形如图所示，说明该电路出现了（）。
a、饱和失真
b、截止失真
c、频率失真
d、不确定
6、下列失真中属于线性失真的是（）。（注：多选）
a、饱和失真
b、截止失真
c、相位失真
d、幅度失真
第二节 频率响应基本概念随堂测验
1、测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是（）。
a、输入电压幅值不变，改变频率
b、输入电压频率不变，改变幅值
c、输入电压的幅值与频率同时变化
d、输入电压的幅值和频率都不变
2、当信号频率等于放大电路的截止频率时，放大倍数的值约下降到中频时的（）。
a、0.5倍
b、0.7倍
c、0.9倍
d、0.8倍
3、某放大电路电的折线近似波特图如图所示，则该电路的上限截止频率为（）。
a、5×hz
b、hz
c、5×hz
d、hz
4、某放大电路电的折线近似波特图如图所示，则该电路的下限截止频率为（）。
a、10hz
b、50hz
c、70hz
d、100hz
5、某放大电路电的折线近似波特图如图所示，则该电路的下限截止频率处的增益为（）db。
第三节 单时间常数rc电路的频率响应随堂测验
1、单时间常数rc电路如图所示，其为（）电路。
a、高通
b、低通
c、带通
d、带阻
2、单时间常数rc电路如图所示，其电压增益表达式为（）。
a、
b、
c、
d、
3、如下图所示的电路，其电压增益表达式为（）。
a、
b、
c、
d、
4、对于单时间常数的rc电路来说，其截止频率的形式为（）。
a、
b、
c、
d、
5、某电路的频率特性如图所示，已知转折点频率为2mhz，此电路的频率特性表达式为（）。
a、
b、
c、
d、
6、单时间常数rc电路如图所示，在截止频率处，将产生（）。
a、45°的超前相移
b、45°的滞后相移
c、90°的超前相移
d、90°的滞后相移
第十三讲 晶体管频率特性（线上课，第六周周四）
第一节 晶体管高频等效模型随堂测验
1、晶体管的混合π等效电路模型在下列哪种情况下才能应用?（）。
a、小信号，管子处在饱和区
b、大信号，管子处在放大区
c、小信号，管子处在放大区
d、大信号，管子处在饱和区
2、某晶体管在ieq=4ma，uceq=6v时的参数为β=150，rbe=1kω，ft=350mhz，cb’c=4pf，则gm约为（）ms。
a、6.5
b、153.8
c、88.7
d、230.8
3、某晶体管在ieq=4ma，uceq=6v时的参数为β=150，rbe=1kω，ft=350mhz，cb’c=4pf，则cb’e约为（）pf。
a、440
b、145
c、70
d、322
4、混合π模型和h参数等效模型之间的关系为（）。
a、在任何情况下都可以等效
b、在任何情况下都不能等效
c、在高频时可以等效
d、在中低频可以等效
5、共发射极晶体管放大器的高频等小电路中，跨导参数gm与（）有关。（注：多选）
a、温度
b、信号频率
c、静态工作点
d、信号幅度
6、
第二节 晶体管频率特性分析随堂测验
1、晶体管的电流放大系数具有（）。
a、高通特性
b、低通特性
c、带通特性
d、带阻特性
2、关于三极管高频参数，下列说法中不准确的为（ ）。
a、
b、
c、
d、
3、某晶体管在ieq=4ma，uceq=6v时的参数为β=150，rb’e=975ω，cb’c=4pf，cb’e=66pf，则fβ约为（）mhz。
a、5.41
b、1.53
c、2.33
d、2.47
4、
a、45°超前
b、90°超前
c、45°滞后
d、90°滞后
5、已知一个三极管在低频时的共射电流放大系数β0=100，特征频率ft=80mhz，当频率为（）时，三极管的|β|≈70？
a、80mhz
b、8mhz
c、0.8mhz
d、12.7mhz
6、
第三节 晶体管高频等效模型的单向化随堂测验
1、如下电路中，利用密勒定理，可以将电容等效到输入回路中的电容c1，其大小为（）。
a、8.16pf
b、40.8pf
c、408pf
d、816pf
2、如下电路中，利用密勒定理，可以将电容等效到输出回路中的电容c2，其大小为（）。
a、8.16pf
b、40.8pf
c、408pf
d、816pf
3、密勒效应是指经输入回路的密勒等效电容将比原电容增大了（）倍。（k为增益）
a、|k|
b、1 |k|
c、1 |1/k|
d、|1/k|
4、在共射晶体管放大器 模型的单向化后，输入端的总等效电容通常（）输出端的总等效电容。
a、大于
b、小于
c、等于
d、视k值的正负而定
5、下图中（）为单向化后的共射晶体管π等效模型。
a、
b、
c、
d、
第十四讲 放大电路频率响应分析（线上课第六周周四）
第一节 单管共射放大电路中低频响应分析随堂测验
1、在单级阻容耦合放大电路的波特图中，幅频特性曲线在低频区的斜率为（），相频特性在低频区的斜率为（）。
a、20db/十倍频 45°/十倍频
b、-20db/十倍频 45°/十倍频
c、20db/十倍频 -45°/十倍频
d、-20db/十倍频 -45°/十倍频
2、对于单管共射放大电路，当f ＝fl时，输出和输入信号的相位关系是（）。
a、＋45°
b、－90°
c、－135°
d、－225°
3、在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值（）。
a、减小
b、增大
c、不变
d、不确定
4、在图示电路中，ri 为其输入电阻，rs 为常数，为使下限频率fl 降低，应（）。
a、减小c，减小ri
b、减小c，增大ri
c、增大c，减小 ri
d、增大c，增大 ri
5、共射单级放大电路如图所示，已知图中rb=470kω，rs=500ω，晶体管的β = 50，rbe= 2kω，通频带范围为10hz~100khz，可计算c1的容量为（）。
a、6.4μf
b、8.6μf
c、9.8μf
d、7.6μf
6、共射放大电路如图所示， 若将一个6800pf的电容错接在晶体管b、c极之间，则fl将（）。
a、增大
b、减小
c、不变
d、为零
第二节 单管共射放大电路高频响应分析随堂测验
1、在单级阻容耦合放大电路的波特图中，幅频特性曲线在高频区的斜率为（），相频特性在高频区的斜率为（）。
a、20db/十倍频 45°/十倍频
b、-20db/十倍频 45°/十倍频
c、20db/十倍频 -45°/十倍频
d、-20db/十倍频 -45°/十倍频
2、共射放大电路如图所示， 若将一个6800pf的电容错接在b、c极之间，则fh将（）。
a、增加
b、减少
c、不变
d、为零
3、图示共射放大电路中，若空载情况下，晶体管b-e间等效电容为c’，则频率fh的表达式为（）。
a、
b、
c、
d、
4、图示共射放大电路中，若rb减小，则晶体管be间的等效电容将（），fh将（）。
a、增大 增大
b、增大 减小
c、减小 增大
d、都不变
5、由于放大电路的增益带宽积近似为一个常数，所以宽带放大电路的放大倍数一定很低。
6、当晶体管和放大电路的结构选定之后，提高放大电路的电压放大倍数，必会牺牲放大电路的频带宽度。
第三节 三种组态放大电路频率响应性能对比分析随堂测验
1、在双极型晶体管三种基本接法中高频响应特性最好的是（）。
a、共射接法
b、共集接法
c、共基接法
d、不确定
2、在双极型晶体管三种基本接法中高频响应特性最差的是（）。
a、共射接法
b、共集接法
c、共基接法
d、不确定
3、为了得到放大器的带宽和电流与电压增益，通常使用两种不同组态的基本放大器组合实现，较合理的放大器组合是（ ）放大器电路。
a、共射-共集
b、共集-共基
c、共基-共集
d、共射-共基
4、共射－共基组合电路中，此组合电路的上限频率主要取决于（）电路。
a、共射接法
b、共基接法
c、共同确定
d、不确定
第十五讲 场效应管（线下课，复习用）
第一节 场效应管概述随堂测验
1、工作在放大状态的场效应管是（）。
a、电流控制元件
b、电压控制元件
c、不可控元件
d、供能元件
2、和双极型晶体管相比，下列属于场效应管的优势有（）。（注：多选）
a、集成度高
b、输入电阻大
c、放大能力强
d、温度稳定性好
3、场效应管是单极型晶体管。
第二节 结型场效应管随堂测验
1、结型场效应管利用栅源极间所加的（）来改变导电沟道的电阻。
a、反偏电压
b、反向电流
c、正偏电压
d、正向电流
2、p沟道结型场效应管的夹断电压up为（）。
a、正值
b、负值
c、零
d、任意值
3、p沟道jfet管的电路符号为（）。
a、
b、
c、
d、
4、
a、放大区
b、可变电阻区
c、夹断区
d、击穿区
5、
a、放大区
b、可变电阻区
c、夹断区
d、击穿区
6、
a、放大区
b、可变电阻区
c、夹断区
d、击穿区
7、当场效应管工作在可变电阻区时，可作为阻值受（）控制的线性电阻器。
a、uds
b、ugs
c、up
d、udg
8、结型场效应管中，外加电压ugs和uds 的极性（）。
a、无特殊要求
b、必须相反
c、必须相同
d、不确定
9、结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其rgs大的特点。
第三节 绝缘栅型场效应管随堂测验
1、下图中的三种特性曲线，依次属于哪种场效应管？正确的说法是（）。
a、p沟道耗尽型mosfet；n沟道结型；n沟道增强型mosfet
b、p沟道耗尽型mosfet；n沟道增强型mosfet；结型n沟道
c、n沟道耗尽型mosfet；n沟道结型；n沟道增强型mosfet
d、n沟道耗尽型mosfet；n沟道增强型mosfet； n沟道结型
2、p沟道增强型mos管的电路符号为（）。
a、
b、
c、
d、
3、某场效应管的转移特性如图所示，该管为（）。
a、p沟道增强型mos管
b、p沟道耗尽型mos管
c、n沟道增强型mos管
d、n沟道耗尽型mos管
4、
a、3
b、-1
c、2
d、1
5、p沟道耗尽型mos管中，外加电压ugs的极性为（）。
a、正
b、负
c、可正可负
d、不确定
6、p沟道耗尽型mos管中，外加电压uds的极性为（）。
a、正
b、负
c、可正可负
d、不确定
7、若耗尽型n沟道mos管的ugs大于零，则其输入电阻会明显变小。
第四节 场效应管的主要参数和选用随堂测验
1、下列参数中，增强型场效应管具有的参数是（）。
a、漏极饱和电流
b、开启电压
c、夹断电压
d、电流放大系数
2、当场效应管的漏极直流电流id从2ma变为4ma时，它的低频跨导gm将（）。
a、增大
b、不变
c、减小
d、不确定
3、场效应管是利用外加电压产生的（）来控制漏极电流的大小的。
a、电流
b、电场
c、电压
d、电阻
4、场效应管漏极电流由（）的运动形成。
a、少子
b、电子
c、多子
d、两种载流子
5、各种场效应管对电压uds极性的要求由（）决定。
a、ugs的极性
b、耗尽型还是增强型
c、沟道的类型
d、id的方向
6、场效应管本质上是一个（）器件。
a、电压控制电压源
b、电压控制电流源
c、电流控制电压源
d、电流控制电流源
7、ugs＝0v时，能够工作在恒流区的场效应管有（）。（注：多选）
a、结型管
b、增强型mos管
c、耗尽型mos管
d、均可以
第十六讲 场效应管放大电路（线下课复习）
第一节 场效应管放大电路的偏置和静态分析随堂测验
1、电路如图所示，已知场效应管的idss = 4ma，夹断电压up =–4v， vdd = 20v，静态电压ugs =–2v，该电路的静态电流id为（）。
a、2ma
b、4ma
c、1ma
d、0
2、为使下图所示电路具有放大作用，必须（）。
a、在源极加一电阻r
b、在栅极与rg2间加一电阻rg3
c、去掉电阻rg2
d、将电源 vdd改为-vdd
3、如下场效应管放大电路中，在线性放大条件下，当增大rg时，静态电流|idq|将（）。
a、增大
b、减小
c、基本不变
d、不确定
4、在线性放大条件下，当增大rs时，|idq|将（）。
a、增大
b、减小
c、基本不变
d、不确定
5、结型场效应管通常可采用两种直流偏置电路，即自偏压方式和分压式自偏压电路。
6、增强型mos管可以采用自偏压和分压自偏压两种偏置方式。
第二节 场效应管微变等效模型随堂测验
1、下图中为场效应管小信号模型的为（）。
a、
b、
c、
d、
2、下列公式中反映gm和β关系的是（）。
a、
b、
c、
d、
3、如下场效应管放大电路中，在线性放大条件下，当增大rs时，gm将（）。
a、增大
b、减小
c、基本不变
d、不确定
4、场效应管的参数gm与静态工作点无关。
5、场效应管不存在电容效应。
第三节 场效应管放大电路的动态分析随堂测验
1、场效应管放大电路如图所示，假设各电容对交流呈短路，则输入电阻ri和输出电阻ro的表达式分别为（）。
a、
b、
c、
d、
2、在下图所示放大电路中，耗尽型mos管的gm=1ms，各电容对交流信号可视为短路。 该电路的au为（）。
a、-3
b、3
c、-5
d、5
3、电路如图所示。其中rg=1.1mω，rs=10kω，场效应管的gm=0.9ms，各电容器的电容量均足够大，电源电压vdd的大小已足以保证管子能工作于恒流区。则电路的au、ri和ro分别约为（）。
a、0.9；1.1mω；10kω
b、0.9；1.5mω；1kω
c、9；1.1mω；1kω
d、0.9；1.1mω；1kω
4、
a、增大
b、减小
c、基本不变
d、不确定
5、
a、增大
b、减小
c、基本不变
d、不确定
6、由于场效应管的栅极几乎不取电流，所以图示电路中rg的大小对中频电压放大倍数几乎没有影响。
第四节 场效应管与晶体管放大电路的比较随堂测验
1、在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用（）构建放大电路可获得更好的放大效果。
a、双极型晶体管
b、场效应管
c、均可以
d、不确定
2、在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用（）构建放大电路可获得更好的放大效果。
a、双极型晶体管
b、场效应管
c、均可以
d、不确定
3、如图所示的四种电路中，具有电压放大作用的是（）。
a、（a）
b、（b）
c、（c）
d、（d）
4、下列各种组态的放大电路中，具有输入电阻大、输出电阻低特点的有（）。（注：多选）
a、共射放大电路
b、共集放大电路
c、共漏放大电路
d、共栅放大电路
5、下列各种组态的放大电路中，放大能力强，适于作为多级放大电路的中间级的有（）。（注：多选）
a、共射放大电路
b、共集放大电路
c、共源放大电路
d、共栅放大电路
6、场效应管栅极几乎不取电；而三极管工作时基极总要吸取一定的电流。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高。
7、场效应管和三极管均有多子和少子两种载流子参与导电；场效应管和晶体管的温度稳定性和抗辐射能力相差不大。
第十七讲 多级放大电路（线上课）
第一节 多级放大电路的耦合方式随堂测验
1、为了放大变化缓慢的微弱信号，多级放大电路应采用（）耦合方式。
a、阻容
b、直接
c、变压器
d、光电
2、为了实现阻抗变换，则应采用（）耦合方式。
a、阻容
b、直接
c、变压器
d、光电
3、阻容耦合多级放大电路（ ）。
a、只能放大直流信号
b、只能放大交流信号
c、既能放大直流信号也能放大交流信号
d、既不能放大直流信号也不能放大交流信号
4、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（）。
a、电阻阻值有误差
b、晶体管参数的分散性
c、晶体管参数受温度影响
d、电源电压不稳定
5、一个带宽是0.1hz~10mhz的宽频带多级放大电路，应采用（）耦合方式。
a、直接
b、阻容
c、变压器
d、光电耦合
6、要求组成的多级放大电路体积最小，应选（）耦合方式。
a、阻容
b、直接
c、变压器
d、阻容或变压器
7、下列属于直接耦合特点的是（）。（注：多选）
a、低频特性好，可以放大缓慢变化的信号
b、适合于集成化的要求，在集成运放的内部，级间都是直接耦合
c、对直流信号没有放大能力，对低频信号衰减较大
d、静态工作点独立，便于设计和调试
8、只有直接耦合的放大电路中三极管的参数才随温度而变化，电容耦合的放大电路中三极管的参数不随温度而变化，因此只有直接耦合放大电路存在零点漂移。
第二节 多级放大电路分析随堂测验
1、关于多级放大电路下列说法中错误的是（）。
a、au等于各级电压放大倍数之积
b、ri等于输入级的输入电阻
c、ro等于输出级的输出电阻
d、au等于各级电压放大倍数之和
2、两级放大电路如图所示，设两级放大电路的rbe为已知，则电压增益的表达式为（）。
a、
b、
c、
d、
3、两级放大电路如图所示，设两级放大电路的rbe为已知，则输入电阻的表达式为（）。
a、
b、
c、
d、
4、两级放大电路如图所示，设两级放大电路的rbe为已知，则输出电阻的表达式为（）。
a、
b、
c、
d、
5、两个单级共发射级放大电路的空载电压放大倍数分别是20和30，将它们用 阻容耦合在一起，不接负载，其电压放大倍数是（）。
a、600
b、大于600
c、小于600
d、不确定
6、设计一个两级放大电路，要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于10mω，输出电阻小于100ω，第一级和第二级应分别采用（）。
a、共漏电路、共射电路
b、共源电路、共集电路
c、共基电路、共漏电路
d、共源电路、共射电路
7、图示的两级直接耦合放大电路中，β1=50，β2=30，ubeq1= ubeq2=0.7v，则有关静态值估算正确的是（）。（注：多选）
a、ibq1=40μa,uceq1=3.8v
b、ibq2=108μa,uceq2=6.1v
c、ibq1=40μa,uceq1=3.2v
d、ibq2=40μa,uceq2=3.725v
第四节 集成运放简介随堂测验
1、集成运放电路的实质是一个（）的多级放大电路。
a、阻容耦合式
b、直接耦合式
c、变压器耦合式
d、三者都有
2、集成运放电路采用直接耦合方式是因为（）。
a、可获得较高增益
b、可使温漂变小
c、在集成工艺中难于制造大电容
d、可以增大输入电阻
3、输出级采用互补对称输出方式是为了使（）。
a、电压放大倍数高
b、输出电流小
c、输出电阻增大
d、带负载能力强
4、抑制零点漂移主要是（）的主要任务。
a、输入级
b、中间级
c、输出级
d、偏置电路
5、偏置电路的主要作用是（）。
a、抑制零点漂移
b、提高增益
c、设置各级静态工作点
d、增强带负载能力
第十八讲 电流源电路（线上课）
18-01 镜像电流源随堂测验
1、电流源电路的特点是输出电流恒定，交流等效电阻（）。
a、等于零
b、比直流等效电阻小
c、等于直流等效电阻
d、远远大于直流等效电阻
2、关于镜像电流源的特点，以下说法不正确的是（）。
a、结构简单，调试方便
b、输出电流与基准电流不存在误差
c、适用于输出较大工作电流
d、输出电阻不够大，稳定度不高
3、三极管电流源电路正常工作时，三极管处于（）工作状态。
a、截止
b、放大
c、饱和
d、不确定
4、电流源电路如图所示，已知其中晶体管对管特性理想对称，β=100，ube=0.7v，则输出电流ic1=（）ma。
a、1
b、2
c、3
d、4
5、镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。
6、基本镜像电流源电路中，输出电流和参考电流完全相同。
7、电流源电路如图所示，已知其中晶体管对管特性理想对称，β=100，ube=0.7v，则参考电流ir=（）ma。
18-02 其他类型的电流源随堂测验
1、下图所示的电流源电路中， vt3和vt4组成（）。
a、镜像电流源
b、微电流源
c、比例电流源
d、多路电流源
2、下图所示的电流源电路中， vt1和vt2组成（）。
a、镜像电流源
b、微电流源
c、比例电流源
d、多路电流源
3、如图所示精密镜像电流源，下列说法错误的是（）。
a、与普通镜像电流源相比，精度有较大的提高。
b、和普通镜像电流源相比，输出电阻得到较大提高。
c、三级管t3的不需要与其它两个三级管的特性一致。
d、t3管工作于放大状态
4、4个电流源电路如图所示。其中（）不能正常工作。
a、
b、
c、
d、
5、电流源如图所示，已知io=10μa， vcc=5v，-vcc=-5v，ir=1ma，ube=0.7v，则电阻re=（）kω。
a、5.2
b、11.97
c、9.3
d、119.7
6、如图所示是比例电流源，已知vcc=12v，r=10kω，re1=1.4kω，re2=400ω，晶体管ube =0.6v，β>>1， 则输出电流ic2的值为（）。
a、4.7ma
b、1ma
c、3.5ma
d、2.6ma
7、电流源如图所示，已知io=10μa， vcc=5v，-vcc=-5v，ir=1ma，ube=0.7v，则电阻r=（）kω。
18-03 电流源的应用随堂测验
1、共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其（）的特点以获得较高增益。
a、直流电阻大、交流电阻小
b、直流电阻小、交流电阻大
c、直流电阻和交流电阻都小
d、直流电阻大和交流电阻都大
2、如图所示，该三极管共射放大电路采用有源负载，与普通共射放大电路相比，以下说法正确的是（）。
a、t1的静态工作电流主要受电阻rb控制
b、该电路的增益比同一个三极管制作的普通共射放大电路要高
c、该电路的输入电阻相对较小
d、该电路的输出电阻与普通共射放大电路一致
3、图示为多路电流源电路,已知所有的晶体管均有ube =0.7v，β>>1，则输出电流i1约为（）ma。
a、1
b、3.5
c、4
d、4.67
4、图示为多路电流源电路,已知所有的晶体管均有ube =0.7v，β>>1，则输出电流i3约为（）ma。
a、1
b、3.5
c、4
d、4.67
5、在集成电路中应用电流源作为偏置电路，可以起到稳定电路工作点的作用。
第十九讲 差分放大电路（线下课，复习用）
第一节 差分放大电路的结构和工作原理随堂测验
1、差分放大电路的主要特点是（）。
a、有效放大差模信号，有力抑制共模信号
b、既放大差模信号，又放大共模信号
c、有效放大共模信号，有力抑制差模信号
d、既抑制差模信号，又抑制共模信号。
2、差分放大电路中，当ui1=300mv，ui2=200mv时，分解为共模输入信号为（）。
a、500mv
b、100mv
c、250mv
d、50mv
3、差分放大电路中，当ui1=300mv，ui2=280mv，aud=100，auc=1时，输出电压为（）。
a、580mv
b、1.71v
c、2v
d、2.29v
4、共模抑制比kcmr是（）。
a、输入差模信号与共模信号之比的绝对值
b、输入共模信号与差模信号之比的绝对值
c、输出交流信号与输出直流信号之比的绝对值
d、差模放大倍数与共模放大倍数之比的绝对值
5、共摸抑制比kcmr越大，表明电路（）。
a、放大倍数越稳定
b、交流放大倍数越大
c、抑制零漂能力越强
d、输入信号中的差模成分越大
6、设某差分放大电路对差模输入信号的电压放大倍数aud为100，共模抑制比kcmr=60db，该电路对共模输入信号的电压放大倍数auc等于（）。
a、无穷大
b、100
c、0.01
d、0.1
7、一个理想对称的差分放大电路，只能放大差模输入信号，不能放大共模输入信号。
第二节 典型差分放大电路及其分析随堂测验
1、差分放大电路的长尾电阻的主要功能是（），从而提高共模抑制比。
a、抑制共模信号
b、抑制差模信号
c、放大共模信号
d、既抑制共模信号又抑制差模信号
2、差分放大电路如图所示。在共模输入信号作用下的交流等效电路中，re对于单边电路的效果相当于（）。
a、开路
b、短路
c、2re
d、re
3、差分放大电路如图所示。在差模输入信号作用下的交流等效电路中。re相当于（）。
a、开路
b、短路
c、2re
d、re
4、电路如图所示，设t1、t2两管参数对称，且ube1=ube2=0.7v。则静态时，uce1的值为（）。
a、0.7v
b、2.65v
c、3.35v
d、4.05v
5、长尾式差分放大电路中，射极电阻re增大，若保证静态工作点不变，则差模放大倍数ad（）。
a、增大
b、减小
c、不变
d、无法确定
6、长尾式差分放大电路中，射极电阻re增大，若保证静态工作点不变，则共模放大倍数ac（）。
a、增大
b、减小
c、不变
d、无法确定
7、如下双入双出长尾差分放大电路，其差模增益表达式为（）。
a、
b、
c、
d、
第三节 差分放大电路的四种接法随堂测验
1、将单端输入-双端输出的差分放大电路改接成双端输入-双端输出时，其差模放大倍数将（）。
a、不变
b、几乎增大一倍
c、几乎减小一半
d、不确定
2、将单端输入-双端输出的差分放大电路改接成单端输入-单端输出时，其差模放大倍数将（）。
a、不变
b、几乎增大一倍
c、几乎减小一半
d、不确定
3、差分放大电路抑制零点温漂的能力是双端输出时比单端输出时（）。
a、强
b、弱
c、相同
d、无法比较
4、差分放大电路单端输出时，对共模信号的抑制是通过（）实现的。
a、温度补偿元件
b、re引入的负反馈
c、电路的对称性
d、降低静态工作点
5、设下图所示电路双端输出时的差模电压增益为10倍，共模增益很小可忽略不计。已知vi的波形如图所示，其中正确的波形为（）。
a、（a）
b、（b）
c、（c）
d、（d）
6、
a、
b、
c、
d、
第四节 差分放大电路的改进随堂测验
1、如图所示差分放大电路中，为提高抑制零点漂移的能力，试问采用下列（）措施好。
a、提高电源电压
b、采用恒流源差分电路
c、减小工作点电流
d、加大rc
2、差分放大器中，用恒流源替代射极电阻re是为了（）。
a、提高aud
b、提高auc
c、提高kcmr
d、提高rod
3、电路如图所示，设β1=β2=β3=β4=100，ube1= ube2=0.7v，ube3= ube4=0.6v。则静态时，uce1的值为（）。
a、5.3v
b、3.1v
c、3.6v
d、2.4v
4、差分放大电路如图所示。设β1=β2=β，rbe1= rbe2= rbe，其双端输出的差模电压增益为（）。
a、
b、
c、
d、
5、带有理想电流源的差分放大电路，只要工作在线性范围内，不论是双端输出还是单端输出，其输出电压值均与两个输入端电压的差值成正比，而与两个输入端电压本身的大小无关。
第五节 差分放大电路的传输特性随堂测验
1、差分放大电路的输出和输入永远保持线性关系。
2、在长尾式差分放大电路中，接入re，可扩大线性区域范围。
3、当|uid|<=ut时，放大器工作在非线性区。
4、当|uid|>=4ut时，放大器工作在非线性区。
5、当输入差模电压超过差分放大器的线性范围时，其输出主要受电源电压影响，而与输入信号无关。
第二十讲 功率放大电路及其分析(第十一周周四线上课）
第一节 功率放大电路的特点和要求随堂测验
1、功率放大电路与电压放大电路的主要区别是（）。
a、功放电路的电源电压比较高
b、功放电路的输出功率比较大，而电压放大电路的输出功率一般比较小
c、功放电路的输出电压幅值比电压放大电路的大
d、功放电路的au和ai均大于1；而电压放大电路只是au大于1
2、对功率放大电路的基本要求是在不失真的情况下能有（）。
a、尽可能高的电压放大倍数
b、尽可能大的功率输出
c、尽可能小的零点漂移
d、尽可能强的带负载能力
3、所谓效率是指（）。
a、输出功率与输入功率之比
b、输出功率与晶体管上消耗的功率之比
c、管耗功率与电源供给功率之比
d、最大不失真输出功率与电源提供的功率之比
4、下列关于功放的说法正确的是（）。（注：多选）
a、功率放大电路有功率放大作用，电压放大电路只要电压放大作用而没有功率放大作用
b、功放电路输出能量主要来自直流电源，而不是有源器件
c、功放电路通常工作在大信号状态下，因此容易发生非线性失真
d、微变等效电路分析法是用来分析交流信号的方法，因此既可以对电压放大器也可以对功率放大器进行分析
5、功率放大电路和电压放大电路本质上都是实现能量转换的电路。
6、顾名思义，功率放大电路有功率放大作用，电压放大电路只有电压放大作用而没有功率放大作用。
第二节 功率放大电路的指标和分类随堂测验
1、所谓电路的最大不失真输出功率是指输入正弦波信号幅值足够大，使输出信号基本不失真且幅值最大时，（）。
a、晶体管上得到的最大功率
b、电源提供的最大功率
c、负载上获得的最大直流功率
d、负载上获得的最大交流功率
2、功率放大电路按（）原则分为甲类，甲乙类和乙类等类型。
a、按三极管的导通角不同
b、按电路的最大输出功率不同
c、按所用三极管的类型不同
d、按放大电路的负载性质不同
3、甲类功放效率低是因为（）。
a、只有一个功放管
b、静态电流过大
c、管压降过大
d、电源电压低
4、在甲类、乙类、甲乙类放大电路中，其导通角分别为（）。
a、小于180°、180°、360°
b、360°、180°、小于180°
c、180°、小于180°、360°
d、360°、180°、大于180°
5、与甲类功放比较，乙类功放的主要优点是（ ）。
a、不用输出变压器
b、不用输出端大电容
c、效率高
d、带负载能力强
6、乙类放大器的效率高于甲类，输出功率也高于甲类。
第三节 乙类推挽功率放大电路的工作原理随堂测验
1、乙类互补对称功率放大电路（）。
a、能放大电压信号，但不能放大电流信号
b、既能放大电压信号，也能放大电流信号
c、能放大电流信号，但不能放大电压信号
d、既不能放大电压信号，也不能放大电流信号
2、理想情况下，乙类otl功放静态时管子的发射极电位为（）。
a、0v
b、vcc/2
c、0.7v
d、vcc
3、理想情况下，乙类ocl功放静态时管子的发射极电位为（）。
a、0v
b、vcc/2
c、0.7v
d、vcc
4、以下关于乙类功率放大电路说法正确的是（）。（注：多选）
a、管子静态时均处于截止状态（考虑管压降）
b、乙类功放均使用两个管子轮流导通工作
c、乙类功放的两个管子特性应尽量保持一致
d、乙类变压器推挽功放的低频特性最好
5、下列乙类功放中，采用单电源供电的有（）。（注：多选）
a、变压器耦合乙类功放
b、ocl电路
c、otl电路
d、都不是
6、由于乙类变压器耦合推挽功放的体积过大，因此不适合用来设计集成电路。
第四节 ocl功率放大电路性能分析随堂测验
1、乙类ocl功放的最大不失真输出电压为（）。
a、vcc
b、vcc-uces
c、vcc-2uces
d、vcc/2-uces
2、乙类otl功放的最大不失真输出电压为（）。
a、vcc
b、vcc-uces
c、vcc-2uces
d、vcc/2-uces
3、理想情况下，乙类双电源互补对称功放电路的效率可达（）。
a、25%
b、50%
c、78.5%
d、90%
4、理想情况下，乙类双电源互补对称功放电路的最大输出功率为（）。
a、
b、
c、
d、
5、有一乙类ocl功放电路，其电源电压vcc=16v，功率管的uces=2v，rl=10ω，可得到最大输出功率为（）。
a、12.8w
b、9.8w
c、25.6w
d、19.6w
6、有一乙类ocl功放电路，其电源电压vcc=16v，功率管的uces=2v，rl=7ω，则电路的最大效率为（）。
a、50%
b、68.7%
c、78.5%
d、90%
7、由于功率放大电路中的晶体管处于大信号工作状态，所以常常是利用晶体管的特性曲线通过图解法来进行分析计算的。
第五节 ocl电路中晶体管的选择随堂测验
1、设计一个输出功率为8w的扩音机电路，若采用乙类互补对称功率放大电路，则选择功率管时，要求pcm（）。
a、至少大于1.6w
b、至少大于0.8w
c、至少大于0.4w
d、至少小于1.6w
2、有一乙类ocl功放电路，其电源电压vcc=16v，rl=8ω，则选择功率管时，要求u(br)ceo （）。
a、大于8v
b、大于16v
c、大于32v
d、大于10v
3、有一乙类otl功放电路，其电源电压vcc=16v，rl=8ω，则选择功率管时，要求icm （）。
a、大于2a
b、大于1a
c、小于2a
d、小于1a
4、由于在功放电路中功放管常常处于极限工作状态，因此在选择用于功放的晶体管时要注意（）参数。
a、icm
b、u(br)ceo
c、β
d、pcm
5、在乙类功率放大电路中，输出功率最大时，功放管的功率损耗也最大。
6、乙类互补对称电路，其功放管的最大管耗出现在输出电压幅度约为0.6vcc的时候。
第二十一讲 功率放大电路的实际问题（第十一周周四线上课）
第一节 交越失真随堂测验
1、与乙类功率放大电路比较，甲乙类功率放大电路的主要优点是（）。
a、放大倍数大
b、效率高
c、输入电阻大
d、交越失真小
2、实际上，乙类互补推挽放大电路中的交越失真是（）。
a、幅频失真
b、相频失真
c、饱和失真
d、截止失真
3、下图所示电路为（）。
a、otl乙类
b、otl甲乙类
c、ocl乙类
d、ocl甲乙类
4、下图所示电路静态时，a点的电位为（）。
a、0v
b、5v
c、10v
d、20v
5、下图所示电路的最大输出功率为（）。
a、10w
b、5.8w
c、6.25w
d、12.5w
6、下图所示电路中，二极管d1和d2的作用是（）。
a、增大输出功率
b、消除交越失真
c、无作用
d、减小三极管的穿透电流
第二节 功率放大电路的改进随堂测验
1、甲乙类互补对称功放电路中引入自举电路是为了（）。
a、增大输出功率
b、消除交越失真
c、稳定输出电压
d、功率管配对
2、下图所示电路中采用复合管的主要目的是（）。
a、消除交越失真
b、增大输出功率
c、解决功率管配对困难
d、稳定输出电压
3、在图示电路中，已知二极管的导通电压ud=0.7v，晶体管导通时的|ube|=0.7v，vt2和vt4 发射极静态电位ueq=0。vt1、vt3和vt5基极的静态电位各为（）。
a、1.4v -0.7v -17.3v
b、-1.4v 0.7v -17.3v
c、0.7v -1.4v -18.7v
d、1.4v -1.4v 17.3v
4、在图示电路中，已知vt2和vt4的饱和压降uces=2v，静态时电源电流可忽略不计，则问负载上可能获得的最大输出功率pomax为（）。
a、6w
b、4w
c、5w
d、8w
5、在图示电路中，已知vt2和vt4的饱和压降uces=2v，静态时电源电流可忽略不计，则效率η约为（）。
a、78.5%
b、72.4%
c、69.8%
d、45%
6、甲乙类准互补对称功放电路的采用复合管电路复合之后管子是同类型的管子。
7、甲乙类互补对称功放电路中的保护电路是通过对功放管输入激励分流实现保护的。
第三节 典型集成运放介绍随堂测验
1、集成运算放大器实质上是一种（）。
a、交流放大器
b、高电压增益的交流放大器
c、高电压增益的直接耦合放大器
d、高增益的高频放大器
2、通用型集成运放的输入级多采用（）。
a、共基接法
b、共集接法
c、共射接法
d、差分接法
3、输入偏置电流iib是（）。
a、运放两个输入端基极偏置电流之和
b、运放两个输入端基极偏置电流之差
c、运放两个输入端基极偏置电流之平均值
d、运放两个输入端基极偏置电流最小者
4、f007集成运放中间级采用有源负载的主要目的是（）。
a、提高放大倍数
b、稳定静态工作点
c、增大输出偏置电流
d、提高共模抑制比
5、集成运放输入失调电压和电流均反映集成运放电路参数的对称性，因此输入失调电压和输入失调电流参数越小越好。
第二十二讲 反馈基本概念及其分类（第七周周四线上）课
第二节 反馈的基本概念随堂测验
1、对于放大电路，所谓开环是指（）。
a、无信号源
b、无反馈通路
c、无电源
d、无负载
2、负反馈放大电路中，反馈信号（）。
a、仅取自输出信号
b、取自输入信号或输出信号
c、仅取自输入信号
d、取自输入信号和输出信号
3、
a、100
b、10
c、90
d、0.09
4、已知某一放大器的a=100，现要求引入反馈以后增益af=10，问反馈系数f应为（）。
a、0.01
b、0.05
c、0.09
d、0.10
5、在深度负反馈下，闭环增益几乎与开环增益无关，因此可省去正向放大通道，只留下反馈网络，以获得稳定的闭环增益。
6、某直流放大电路输入信号电压为1mv，输出电压为1v，加入负反馈后，为达到同样输出时需要的输入信号为10mv，则可知该电路的反馈深度为（）。
第三节 反馈的分类随堂测验
1、在输入量不变的情况下，若引入反馈后（），则说明引入的反馈是负反馈。
a、输入电阻增大
b、输出量增大
c、净输入量增大
d、净输入量减小
2、交流负反馈是指（）。
a、只存在于阻容耦合电路中的负反馈
b、交流通路中的负反馈
c、放大正弦信号时才有的负反馈
d、变压器耦合电路中的反馈
3、对于电压串联负反馈，反馈系数f的量纲为（）。
a、电阻
b、电导
c、无量纲
d、安培
4、深度电流串联负反馈放大器相当于一个（）。
a、压控电压源
b、压控电流源
c、流控电压源
d、流控电流源
5、下图所示的负反馈放大电路类型为（）。
a、电流串联负反馈
b、电压串联负反馈
c、电压并联负反馈
d、电流并联负反馈
6、电流控制的电流源指的是（）放大电路。
a、电流串联负反馈
b、电压串联负反馈
c、电压并联负反馈
d、电流并联负反馈
7、某负反馈放大电路的反馈系数为互阻反馈系数fr，则电路的闭环增益应为（）。
a、avf
b、arf
c、aif
d、agf
8、负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量纲相同。
第四节 反馈类型的判别随堂测验
1、构成反馈通路的元件（）。
a、只能是电阻
b、只能是晶体管、集成运放等有源器件
c、只能是无源器件器件
d、可以是无源元件，也可以是有源器件
2、下图所示电路反馈的组态与极性为（）。
a、电压并联负反馈
b、电压串联负反馈
c、电流并联负反馈
d、电流串联负反馈
3、下图电路中的级间反馈类型为（）负反馈。
a、电压串联
b、电压并联
c、电流串联
d、电流并联
4、电路如下图所 示，rf引入的反馈为（）。
a、正反馈
b、串联电压负反馈
c、并联电压负反馈
d、并联电流负反馈
5、下图所示电路中反馈的类型为（）。
a、电压并联负反馈
b、电压串联负反馈
c、电流并联负反馈
d、电流串联负反馈
6、下图所示电路中的反馈为（）。
a、电压串联、交直流负反馈
b、电压并联、交流负反馈
c、电流串联、交流负反馈
d、电流并联、交流负反馈
7、下图所示电路中的反馈为（）。
a、电压并联负反馈
b、电压串联负反馈
c、电流并联负反馈
d、电流串联负反馈
第二十三讲 反馈放大电路的分析（线上课，第七周周四第一节，第八周周四第二三四节）
第一节 负反馈对放大电路性能的影响随堂测验
1、如图所示电路中，反馈元件r7构成级间负反馈，其作用是使输入电阻（），输出电阻（）。
a、均增大
b、均减小
c、增大 减小
d、减小 增大
2、对于电流串联负反馈而言，下列哪个回答是正确的？（）
a、输入电阻变大，输出电阻变大
b、输入电阻变大，输出电阻变小
c、输入电阻变小，输出电阻变大
d、输入电阻变小，输出电阻变小
3、在下列四种反馈组态中，能够使输出电压稳定，并提高输人电阻的负反馈是（）。
a、电压并联负反馈
b、电压串联负反馈
c、电流并联负反馈
d、电流串联负反馈
4、引入并联负反馈，可使放大器的（）。
a、输出电压稳定
b、反馈环内输入电阻增加
c、反馈环内输入电阻减小
d、输出电流稳定
5、负反馈所能抑制的干扰和噪声是（）。
a、输入信号所包含的干扰和噪声
b、反馈环内的干扰和噪声
c、反馈环外的干扰和噪声
d、输出信号中的干扰和噪声
6、电流并联负反馈对放大器的影响，正确的是（）。
a、能稳定静态工作点，增加电压放大倍数的稳定性，减小输入电阻
b、使放大器不稳定，可能产生自激振荡
c、能稳定静态工作点，提高输入电阻，稳定放大器的输出电压
d、能稳定放大器的输出电流，减小输入电阻，但放大器带动负载能力减小
7、放大电路通过引入负反馈可完全消除波形失真。
8、某一放大电路中引入了直流负反馈和交流电压串联负反馈，这些反馈能够稳定输出电流。
第二节 按需引入反馈随堂测验
1、当信号源内阻很大时，采用（）的效果将很差。
a、串联负反馈
b、并联负反馈
c、电压负反馈
d、电流负反馈
2、如果希望减小放大电路从信号源获取的电流，同时希望增加该电路的带负载能力，则应引入（）。
a、电流串联负反馈
b、电压串联负反馈
c、电流并联负反馈
d、电压并联负反馈
3、希望放大器具有稳定的输出电压和低的输入电阻，应引入（）负反馈。
a、电压串联
b、电压并联
c、电流串联
d、电流并联
4、某传感器产生的是电压信号（几乎不能提供电流），经过放大后希望输出电压与信号成正比，这时放大电路应选（）。
a、电流串联负反馈
b、电压并联负反馈
c、电流并联负反馈
d、电压串联负反馈
5、某仪表放大电路，要求ri大，输出电流稳定，应选（）。
a、电流串联负反馈
b、电压并联负反馈
c、电流并联负反馈
d、电压串联负反馈
6、欲得到电压－电流转换电路，应在放大电路中引入（）。
a、电压串联负反馈
b、电压并联负反馈
c、电流串联负反馈
d、电流并联负反馈
7、电路如下图所示，为了进一步减小放大电路向信号源索取电流，应该在（）之间引入（）类型的负反馈。
a、b1-e2 电流并联
b、e1-c2 电压串联
c、e1-e2 电流串联
d、b1-c2 电压并联
第三节 深度负反馈放大电路性能的估算随堂测验
1、在深度负反馈条件下，为了估算负反馈放大电路的增益，对于串联负反馈，可（）。
a、将反馈接入的输入端交流短路
b、将反馈引出端交流短路
c、将反馈引出端交流开路
d、将反馈接入的输入端交流开路
2、在深度负反馈条件下，为了估算负反馈放大电路的增益，对于并联负反馈，可（）。
a、将反馈接入的输入端交流短路
b、将反馈引出端交流短路
c、将反馈引出端交流开路
d、将反馈接入的输入端交流开路
3、电路如下图所示。则满足深度负反馈条件下，估算电压增益为（）。
a、19
b、8.6
c、20
d、5.1
4、下图所示电路，则满足深度负反馈条件下，估算电压增益为（）。
a、10
b、9
c、5
d、3
5、下图所示电路，若在深度负反馈条件下估算得到的电压增益为20，则rf应取（）kω。
a、5.1
b、8.6
c、20
d、19
第四节 负反馈放大电路的稳定性随堂测验
1、一个单管共射放大电路如果通过电阻引入负反馈，则（）。
a、一定会产生高频自激振荡
b、有可能产生高频自激振荡
c、一定不会产生高频自激振荡
d、可能产生低频自激振荡
2、负反馈放大电路产生自激振的条件是（）。
a、
b、
c、
d、
3、多级负反馈放大电路在（）情况下容易引起自激。
a、环路增益大
b、反馈系数太小
c、闭环放大倍数很大
d、放大器的级数少
4、负反馈放大电路不自激的条件是（）。
a、
b、
c、
d、
5、阻容耦合放大电路引入负反馈后（）。
a、只可能出现低频自激
b、只可能出现高频自激
c、低、高频自激均有可能出现
d、均不可能出现自激
6、某放大电路的对数幅频特性如图所示，该负反馈放大电路（）自激。
a、会出现低频自激
b、会出现高频自激
c、低、高频自激会出现
d、均不可能出现自激
7、负反馈放大电路的反馈系数越大，越容易引起自激振荡。
第二十四讲 集成运放应用-信号运算(第一、二、三、四节已上线下课，第五六节第九周线上课）
第一节 集成运放特性建模及分析依据随堂测验
1、理想集成运放具有以下特点（）。
a、开环差模增益aud=∞，差模输入电阻rid=∞，输出电阻ro=∞
b、开环差模增益aud=∞，差模输入电阻rid=∞，输出电阻ro=0
c、开环差模增益aud=0，差模输入电阻rid=∞，输出电阻ro=∞
d、开环差模增益aud=0，差模输入电阻rid=∞，输出电阻ro=0
2、理想运算放大电路的两个重要结论是（）。
a、虚地与反相
b、虚短与虚地
c、虚短与虚断
d、断路和短路
3、集成运放一般分为两个工作区，它们是（）工作区。
a、线性与非线性
b、正反馈与负反馈
c、虚短和虚断
d、同相和反相
4、为了工作在线性工作区，应使集成运放电路处于（）状态。
a、正反馈
b、负反馈
c、正反馈或无反馈
d、负反馈或无反馈
5、为了工作在非线性区，应使集成运放电路处于（）状态。
a、正反馈
b、负反馈
c、正反馈或无反馈
d、负反馈或无反馈
6、虚短特性本质上来讲是由于集成运放（）。
a、输入电阻非常大
b、输出电阻非常小
c、开环增益非常大
d、共模抑制比非常大
7、虚断特性本质上来讲是由于集成运放（）。
a、输入电阻非常大
b、输出电阻非常小
c、开环增益非常大
d、共模抑制比非常大
8、“虚短”和“虚断”意味着在线性状态下，集成运放没有输入。
第二节 比例运算随堂测验
1、在下图所示电路中，a为理想运放，则电路的输出电压约为（）。
a、－2.5v
b、－5v
c、－6.5v
d、－7.5v
2、由集成运放组成的反相比例运放电路，组成（）类型的负反馈。
a、电压串联
b、电压并联
c、电流串联
d、电流并联
3、电路如下图所示，设运放是理想的。当输入电压为 2v时，则vo=（）v。
a、-4
b、-5
c、-7.5
d、-10
4、电路如下图所示，设运放是理想的。电阻rp的值应约为（）kω。
a、1.6
b、2
c、3
d、4
5、（）比例运算电路的特例是电压跟随器，它具有ri很大和ro很小的特点，常用作缓冲器。
a、反相比例
b、同相比例
c、加法
d、减法
6、电路如图所示，设运放是理想的。当输入电压为 1v时，则vo=（）v。
a、1
b、2
c、3
d、4
7、在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。
第三节 加减运算随堂测验
1、欲将正弦波电压叠加上一个直流量，应选用（）运算电路。
a、比例
b、加减
c、积分
d、微分
2、电路如图所示，设运放是理想的，当输入电压vs1、vs2均为1v时，其输出电压vo=（） v。
a、-1
b、 1
c、-2
d、 2
3、电路如图所示，设运放是理想的。输入电压均为1v，其输出电压vo=（）v。
a、-1
b、 1
c、-2
d、 2
4、在反相求和式减法运算电路中，由于两个运放构成的电路均存在虚地，电路中没有（）信号，故允许输入的共模电压范围较大。
a、共模
b、差模
c、电压
d、电流
5、由于差分式减法电路中存在（）输入电压，因此为保证运算精度应为选择共模抑制比较高的集成运放。
a、共模
b、差模
c、电压
d、电流
6、与同相加法电路比较，反相加法电路共模输入电压较高，且调节不大方便，因此应用较少。
7、反相加法电路集成运放的反相输入端为虚地点，流过反馈电阻的电流等于各输入电流之代数和。
第四节 微积分运算随堂测验
1、下图中，实现积分运算的电路是（）。
a、a)
b、b)
c、c)
d、d)
2、若要将周期性方波电压转变为三角波电压，则应选用（）。
a、反相比例运算电路
b、同相比例运算电路
c、微分运算电路
d、积分运算电路
3、若要将周期性三角波电压转变为方波电压，则应选用（）。
a、反相比例运算电路
b、同相比例运算电路
c、微分运算电路
d、积分运算电路
4、当输入电压为正弦信号时，在稳态情况下基本（）电路输入比输出领先90°。
a、加法
b、减法
c、积分
d、微分
5、当输入电压为正弦信号时，在稳态情况下基本（）电路输入比输出滞后90°。
a、加法
b、减法
c、积分
d、微分
6、对于基本积分电路，其输入为矩形波，则输出vo的波形为（）。
a、矩形波
b、正弦波
c、锯齿波
d、正负尖脉冲
7、对于基本微分电路，其输入为矩形波，则输出vo的波形为（）。
a、矩形波
b、正弦波
c、锯齿波
d、正负尖脉冲
第五节 其它信号运算电路随堂测验
1、若将基本积分电路中接在集成运放负反馈支路的电容换成三极管（接成二极管形式），便可得到基本的（）运算带电路。
a、对数
b、反对数
c、积分
d、微分
2、若将基本微分电路中接在输入回路的电容换成三极管（接成二极管形式）便可得到基本的（）运算带电路。
a、对数
b、反对数
c、积分
d、微分
3、对数运算电路如图所示，a为理想运放，为使电路能正常工作，则要求vs（）零。
a、大于
b、小于
c、等于
d、任意
4、若要变跨导二象限乘法器能正常工作，则要求接于电路中恒流源的输入uy必须为（）值。
a、正
b、负
c、可正可负
d、零
5、下图所示集成乘法器电路实现的运算为（）。
a、平方
b、立方
c、开平方
d、开立方
第六节 集成运放参数对运算精度的影响随堂测验
1、
a、
b、
c、
d、不确定
2、
a、大
b、小
c、无关
d、不确定
3、
a、大
b、小
c、无关
d、不确定
4、积分电路产生误差的主要原因是（）。
a、温漂产生的失调电压和失调电流
b、集成运入的共模抑制比为有限
c、集成运放的开环增益和输入电阻为有限
d、输出电阻不为零
第二十五讲 集成运放应用-有源滤波器（第九周周四线上课）
第一节 滤波器基本概念随堂测验
1、为了抑制2khz以下的信号，应采用（）。
a、带通
b、低通
c、带阻
d、高通
2、能使低频信号顺利通过、阻止高频信号通过的滤波器是（）滤波器。
a、带通
b、低通
c、带阻
d、高通
3、当有用信号的频率低于100hz时，应采用（）滤波电路。
a、低通
b、高通
c、带通
d、带阻
4、为防止50hz电网电压干扰混入信号之中，应选用（）。
a、低通滤波器
b、带通滤波器
c、高通滤波器
d、带阻滤波器
5、收音机用于选台的滤波器应为（）。
a、低通滤波器
b、高通滤波器
c、带通滤波器
d、带阻滤波器
6、相比较而言，无源滤波器的带负载能力更强。
7、在直流稳压电源中采用的均是无源滤波。
8、滤波器rc环节越多，阶数越高，滤波特性越好。
9、滤波器的特性频率和截止频率一定相同。
第二节 有源低通滤波器随堂测验
1、下图所示一阶低通滤波器的通带增益为（）。
a、
b、
c、
d、
2、下图所示一阶低通滤波器的截止频率为（）。
a、
b、
c、
d、
3、下图所示一阶低通滤波器，当携带rl的负载后，带宽将（）。
a、增大
b、减小
c、不变
d、不确定
4、二阶压控电压源低通有源滤波器通带外幅频响应曲线的斜率为（）。
a、20db/十倍频程
b、-20db/十倍频程
c、40db/十倍频程
d、-40db/十倍频程
5、二阶压控电压源低通有源滤波器中引入正反馈的目的是（）。
a、增大输入电阻
b、提高电路稳定性
c、增大f0处的电压放大倍数
d、减小f0处的电压放大倍数
6、二阶压控电压源低通有源滤波器的品质因数只取决于（）。
a、通带增益
b、特征频率
c、截止频率
d、带宽
第三节 其他滤波器随堂测验
1、电路如图所示，设运放是理想的，试判断该电路为（）滤波器。
a、低通
b、高通
c、带通
d、带阻
2、
a、低通
b、高通
c、带通
d、带阻
3、
a、低通
b、高通
c、带通
d、带阻
4、利用低通和高通滤波器可构成带通滤波器，要求低通滤波器的上限频率fh和高通滤波器的下限频率fl的关系为（）。
a、fl>fh
b、fl c、fl=fh
d、任意
5、利用低通和高通滤波器可构成带阻滤波器，要求低通滤波器的上限频率fh和高通滤波器的下限频率fl的关系为（）。
a、fl>fh
b、fl c、fl=fh
d、任意
6、带通滤波电路的q值越大，它的通带宽度越窄（设特征频率fo不变）。
第二十六讲 集成运放应用-电压比较器（第十周周四线上课）
第一节 电压比较器简介随堂测验
1、集成运放组成电压比较器电路时，工作在（）。
a、线性区
b、过渡区
c、截止区
d、非线性区
2、分析电压比较器，可以利用的分析依据为（）。
a、有虚断有虚短
b、有虚断无虚短
c、无虚断有虚短
d、无虚断无虚短
3、电压比较器的阈值电压是（）。
a、输出的最高电压
b、输出的最低电压
c、输出产生跃变的输入电压
d、输入电压的最大值
4、具有双门限，且在输入单调变化时输出电压跃变两次的是（）。
a、单限比较器
b、滞回比较器
c、窗口比较器
d、过零比较器
5、一般情况下，在电压比较器中，集成运放不是工作在开环状态，就是仅仅引入了正反馈。
6、在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器和滞回比较器的输出电压均只跃变一次。
7、凡是引入正反馈的集成运放，一定工作在非线性区。
第二节 单限比较器随堂测验
1、电路如图所示，输入电压 ，则输出电压为（）。
a、与ui同相位的矩形波
b、与ui同相位的正弦波
c、与ui反相位的矩形波
d、与ui反相位的正弦波
2、若要求仅在输入电压过零时，输出电压发生跳变，除此以外输出电压保持不变，则应选用（）。
a、反相比例放大器
b、积分器
c、迟滞比较器
d、过零比较器
3、电路如图所示，运算放大器的饱和电压为±12v，晶体管t的β=50，为了使灯hl亮，则输入电压ui应满足（）。
a、ui>2v
b、ui=2 v
c、ui<2v
d、任意
4、电压比较器传输特性的三个要素是（）。（注：多选）
a、门限电平
b、输出的高低电平
c、集成运放的开环增益
d、跃变方向
5、单限比较器的缺点包括（）。（注：多选）
a、结构复杂
b、抗干扰能力差
c、灵敏度不高
d、输出电压波形不够陡峭
第三节 滞回比较器和窗口比较器随堂测验
1、下列关于滞回比较器的说法，不正确的是（）。
a、滞回比较器有两个门限电压
b、构成滞回比较器的集成运放工作在线性区
c、滞回比较器电路一定外加了正反馈
d、滞回比较器的输出电压只有两种可能，即正的最大值或负的最大值
2、在下列四种比较器中，抗干扰能力强的是（）。
a、滞回比较器
b、过零比较器
c、单限比较器
d、窗口比较器
3、滞回比较器有2个门限电压，因此在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，其输出状态将发生（）次跃变。
a、1
b、2
c、3
d、0
4、一滞回电压比较器，当输入信号增大到3v时输出信号发生负跳变，当输入信号减小到－1v时发生正跳变，则该迟滞比较器的上、下门限和回差电压是（）。
a、-1v 3v 4v
b、3v -1v 2v
c、3v -1v 4v
d、1v 2v 1v
5、设滞回比较器的传输特性和输入电压波形分别如图所示，则输出电压波形为（）。
a、
b、
c、
d、
6、如果一个滞回比较器的两个阈值电压和一个窗口比较器的相同，那么当它们的输入电压相同时，它们的输出电压波形也相同。
7、单限比较器比滞回比较器抗干扰能力强，而滞回比较器比单限比较器灵敏度高。
第四节 电压比较器的应用随堂测验
1、下图所示电路中，a1和a2均为理想运放，最大输出电压幅值为±10v。其中a1和a2分别构成（）电路。
a、反相比例和反相加法
b、反相比例和电压比较器
c、同相比例和电压比较器
d、同相比例和反相加法
2、下图所示电路中，a1和a2均为理想运放，最大输出电压幅值为±10v。设ui=0.5v ，uo1为（）。
a、10v
b、2v
c、-10v
d、-1.5v
3、下图所示电路中，a1和a2均为理想运放，最大输出电压幅值为±10v。设ui=0.5v ，uo的值为（）。
a、10v
b、5v
c、-10v
d、-5v
4、下图所示矩形波发生器，若要增大占空比，应使电位器滑动端（）移动。
a、向上
b、向下
c、不动
d、任意
5、在图示的矩形波发生电路中，假设集成运放和二极管均为理想的，元件参数见图，如果电位器的滑动端调在中间位置，则输出电压的振荡周期t约为（）。
a、0.19ms
b、2.54ms
c、1.147ms
d、3.23ms
第二十七讲 正弦波振荡电路（线下课）
第一节 正弦波振荡电路概述随堂测验
1、振荡器与放大器的区别是（ ）。
a、振荡器比放大器电源电压高
b、振荡器比放大器失真小
c、振荡器无需外加激励信号，放大器需要外加激励信号
d、振荡器需要外加激励信号，放大器无需外加激励信号
2、正弦振荡器中选频网络的作用是（ ）。
a、得到单一频率的正弦波
b、提高输出信号的振幅
c、保证电路起振
d、稳定输出幅度
3、（ ）振荡器的频率稳定度高。
a、互感反馈
b、克拉泼电路
c、西勒电路
d、石英晶体
4、正弦波振荡器中正反馈网络的作用是 （ ）。
a、保证产生自激振荡的相位条件
b、提高放大器的放大倍数，使输出信号足够大
c、产生单一频率的正弦波
d、自动稳幅
5、正弦波振荡器中如果没有选频网络，就不能引起自激振荡。
6、实际正弦波振荡电路中，选频网络可以单独存在，也可以和放大电路或反馈网络合在一起。
7、正弦波振荡电路中，可以通过放大器的非线性实现输出正弦波的稳幅，这称为外稳幅。
第二节 rc正弦波振荡电路随堂测验
1、串并联正反馈网络的最大反馈系数（即最大传输系数）为（ ）。
a、1/3
b、1/5
c、1/6
d、1/29
2、双t网络具有（ ）特性。
a、带通
b、带阻
c、高通
d、低通
3、一节rc移相网络的最大相移为（ ）。
a、90°
b、180°
c、270°
d、45°
4、rc双t网络式振荡电路中，双t网络接在放大器的（ ）。
a、负反馈支路
b、正反馈支路
c、直流偏置支路
d、输出限幅电路
5、rc串并联振荡电路中，可以通过热敏电阻、二级管的器件的非线性实现稳幅电路，这些非线性器件一般接在放大器电路的的（ ）。
a、负反馈支路
b、正反馈支路
c、直流偏置支路
d、输出限幅电路
6、rc双t网络式振荡电路中，双t网络的作用是（ ）。
a、稳幅
b、选频
c、放大
d、起振
7、rc振荡电路中的选频和放大功能都是通过rc串并联电路完成的。
8、rc振荡电路中的稳幅可以通过电路中的放大器的非线性来实现。
第三节 lc正弦波振荡电路随堂测验
1、电容三点式lc正弦波振荡器与电感三点式lc正弦波振荡器比较，优点是（ ）。
a、电路组成简单
b、输出波形好
c、容易调节振荡频率
d、频率稳定度高
2、判断下图是哪一类振荡器（ ）。
a、考毕兹电路
b、哈特莱电路
c、西勒电路
d、克拉泼电路
3、如图所示电路，以下说法正确的是（ ）。
a、该电路可以产生正弦波振荡
b、该电路不能产生正弦波振荡，原因在于振幅平衡条件不能满足
c、该电路不能产生正弦波振荡，原因在于相位平衡条件不能满足
d、该电路不能产生正弦波振荡，原因在于振幅平衡、相位平衡条件均不能满足
4、试用自激振荡的相位条件判别下图能产生自激振荡的电路（ ）。
a、
b、
c、
d、
5、如图为某收音机的变频级，以下正确叙述是（ ）。
a、电感三点式本机振荡电路
b、双回路调谐放大器取出中频信号
c、对接收信号构成共基放大电路
d、以上说法都不对
6、图所示电路，以下说法正确的是 （ ）。
a、该电路由于放大器不能正常工作，不能产生正弦波振荡
b、该电路由于无选频网络，不能产生正弦波振荡
c、该电路由于不满足相位平衡条件，不能产生正弦波振荡
d、该电路满足相位平衡条件，可能产生正弦波振荡
7、lc正弦波振荡器电路如图所示，下列哪种说法是正确的是（ ）。
a、由于放大器不能正常工作，故不能振荡
b、不满足相位平衡条件，故不能振荡
c、没有选频网络，故不能振荡
d、电路能振荡
8、改进型电容三点式振荡器的主要优点是（）。
a、容易起振
b、振幅稳定
c、频率稳定度较高
d、减小谐波分量
9、判断下图是哪一类振荡器 （ ）。
a、电感三点式
b、电容三点式
c、改进的电容三点式
d、变压器耦合式
10、电感三点式振荡器的输出波形比电容三点式振荡器的输出波形好。
第四节 石英晶体振荡电路随堂测验
1、为提高振荡频率的稳定度，高频正弦波振荡器一般选用（ ）。
a、lc正弦波振荡器
b、晶体振荡器
c、rc正弦波振荡器
d、任意
2、在自激振荡电路中，下列哪种说法是正确的（ ）。
a、lc振荡器、rc振荡器一定产生正弦波
b、石英晶体振荡器不能产生正弦波
c、电感三点式振荡器产生的正弦波失真较大
d、电容三点式振荡器的振荡频率做不高
3、石英晶体谐振于fp时，相当于lc回路的（ ）。
a、串联谐振现象
b、并联谐振现象
c、自激现象
d、失谐现象
4、利用石英晶体的电抗频率特性构成的振荡器是（ ）。
a、f＝fs时，石英晶体呈感性，可构成串联型晶体振荡器
b、f＝fs时，石英晶体呈阻性，可构成串联型晶体振荡器
c、fs d、fs
5、石英晶体谐振于fs时，相当于lc回路的（ ）。
a、串联谐振现象
b、并联谐振现象
c、自激现象
d、失谐现象
6、石英晶体谐振器，工作在( )时的等效阻抗最小。
a、串联谐振频率fs
b、并联谐振频率fp
c、串联谐振频率fs与并联谐振频率fp之间
d、工作频率
7、石英晶体振荡器的主要优点是（ ）。
a、容易起振
b、振幅稳定
c、频率稳定度高
d、减小谐波分量
8、在并联谐振型晶体振荡器中，晶体作为( )元件使用。
a、电感
b、电容
c、电阻
d、晶体管
9、串联型石英晶体振荡电路中，石英晶体相当于一个电感而起作用。
第二十八讲 直流稳压电源（第十二周周四线上课）
第一节 直流稳压电源简介随堂测验
1、整流的目的是（）。
a、将交流变为直流
b、将高频变为低频
c、将正弦波变为方波
d、将电压幅值变小
2、直流稳压电源中滤波电路的目的是（）。
a、将交流变为直流
b、将高频变为低频
c、将交、直流混合量中的交流成分滤掉
d、将电压幅值变小
3、直流稳压电源中的滤波电路应选用（）。
a、高通滤波电路
b、低通滤波电路
c、带通滤波电路
d、带阻滤波电路
4、反映输入电压波动对输出电压的影响的性能指标是（）。
a、纹波系数
b、输出电阻
c、温度系数
d、稳压系数
5、稳压的能使输出电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响。
6、纹波系数越（）（大、小），直流稳压电源的质量越好。
第二节 整流电路随堂测验
1、对于桥式整流电路，正确的接法是（）。
a、a
b、b
c、c
d、d
2、桥式整流电路输出电压平均值是半波整流电路输出电压的平均值的（）倍。
a、1
b、2
c、3
d、4
3、在单相桥式整流电路中，若有一只整流管接反，则（）。
a、输出电压约为2uo
b、变为半波整流
c、整流管将因电流过大而烧坏
d、正常整流
4、单相桥式整流电路如图1所示，变压器副边电压u2的波形如图2所示，设二极管均为理想元件，则d1两端的电压ud1的波形为图3中的（）。
a、a
b、b
c、c
d、d
5、全波整流电路中，若输入电压u2 = 30v，则整流管承受的最大反向压降约为（）。
a、30v
b、42.4v
c、84.8v
d、21.4v
6、在图示的单相桥式整流电路中, 已知变压器副边电压u2=10v(有效值)。则下列说法正确的是（）。（注：多选）
a、工作时，直流输出电压平均值uo(av)=9v
b、如果二极管vd1虚焊，变成单相半波整流
c、如果四个二极管全部接反，则直流输出电压uo(av)=9v
d、如果二极管vd1虚焊，则二极管烧毁
7、单相桥式整流电路中，若输入电压u2 = 30v，则输出电压uo =（）v。
8、单相桥式整流电路中，若输入电压u2 = 30v，负载电阻rl = 100 ω，整流二极管的平均电流id=（）a。
第三节 滤波电路随堂测验
1、电路如图所示。u2=20v，c＝1000μf，rl=40ω。正常情况下，uo=（）。
a、24v
b、28v
c、9v
d、18v
2、电路如图所示。u2=20v，c＝1000μf，rl=40ω。若电容c脱焊，则uo=（）。
a、24v
b、28v
c、9v
d、18v
3、电路如图所示。u2=20v，c＝1000μf，rl=40ω。若电阻rl脱焊，则uo=（）。
a、24v
b、28v
c、9v
d、18v
4、理想二极管在半波整流电容滤波电路中的导通角为（）。
a、小于180°
b、等于180°
c、大于180°
d、等于360°
5、若u2为电源变压器副边电压的有效值，则半波整流电容滤波电路和全波整流电容滤波电路在空载时的输出电压均为u2。
6、电容滤波电路适用于小负载电流，而电感滤波电路适用于大负载电流。
7、电容滤波要将电容与负载电阻并联，电感滤波要将电感与负载电阻串联。
第四节 稳压电路随堂测验
1、电路如图所示。已知u2=20v，稳压管的udz=9v，r=300ω，rl=300ω。正常情况下，电路的输出电压uo为（）。
a、9v
b、12v
c、24v
d、28v
2、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是（）。
a、基准电压
b、采样电压
c、基准电压与采样电压之差
d、输入和输出电压之差
3、在图示电路中。要求当rp滑动端在最下端时，uo=15v时，则电位器rp的值应是（）。
a、20ω
b、100ω
c、150ω
d、30ω
4、在图示电路中，rp为100ω，当滑动端在最上端时，uo=（）v。
a、10v
b、15v
c、8v
d、12v
5、当输入电压ui和负载电流il变化时，稳压电路的输出电压是绝对不变的。
第五节 集成稳压器随堂测验
1、三端集成稳压器cw7812的输出电压是（）。
a、12v
b、5v
c、9v
d、8v
2、三端集成稳压器cw7912的输出电压为（）。
a、12v
b、-12v
c、9v
d、-9v
3、下图所示输出电压可调电路，若r1=r2=200ω，rp=100ω，则输出电压uo的最大最小值为（）。
a、30v 12v
b、30v 20v
c、20v 12v
d、60v 30v
4、下图所示电路，输出电压为（）v。
5、下图所示恒流源电路，当满足恒流条件时，输出电流为（）a。
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