第1章晶体二极管1.1 半导体物理基础知识随堂测验1、本征激发产生的自由电子数目____空穴数目。
a、大于
b、等于
c、小于
d、以上均有可能
2、gaas可以制成高频器件是由于它的______高。
a、扩散系数
b、迁移率
c、本征载流子浓度
d、掺杂浓度
3、杂质半导体中随温度升高浓度显著增大的是______。
a、多数载流子
b、少数载流子
c、空穴
d、自由电子
4、n型半导体带负电。
5、半导体导电时依靠的是漂移电流。
6、n型半导体的多数载流子是价电子。
7、在本征半导体中掺入磷原子，构成____型半导体。
8、在本征半导体中掺入硼原子，构成___型半导体。
1.2 pn结随堂测验1、在pn结的空间电荷区，以下哪种说法是对的？
a、没有载流子
b、没有施主离子
c、没有电荷
d、没有受主离子
2、pn结的伏安特性是____。
a、正向导通，反相截止
b、正、反向均导通
c、正、反向均截止
d、正向截止，反向导通
3、利用pn结的_____可以制成变容二极管。
a、势垒电容
b、扩散电容
c、静态电容
d、以上均可
4、pn结内建电场的方向是p指向n。
5、锗pn结的正向导通压降一般在0.6-0.8v。
6、pn结正偏时，阻挡层将变宽，有利于多数载流子的扩散运动。
7、温度升高时，pn结的反向饱和电流将增大。
8、热电压在t=300k时等于_____。
9、利用pn结的______特性可以制成稳压二极管。
第1章单元测试1、当pn结外加正向电压时，扩散电流______漂移电流。
a、大于
b、等于
c、小于
d、以上均可能
2、n型半导体是在纯净半导体中掺入______。
a、三价元素，如硼
b、五价元素，如磷
c、带正电的离子
d、带负电的离子
3、pn结的反向饱和电流随温度升高而______。
a、增大
b、基本不变
c、减小
d、无规律变化
4、二极管的最高工作频率和什么参数有关？
a、最大正向电流
b、反向饱和电流
c、结电容
d、反向击穿电压
5、理想二极管在正偏和反偏时，分别等效于：
a、短路，短路
b、短路，开路
c、开路，短路
d、开路，开路
6、pn结具有电容特性，其中正偏时pn结电容以______电容为主，反偏时结电容以______电容为主。利用______电容可以制成变容二极管。
a、扩散 势垒 势垒
b、扩散 势垒 扩散
c、势垒 扩散 势垒
d、势垒 扩散 扩散
7、稳压管电路如图所示，的稳定电压，限流电阻，，当时，输出电压和稳压管的稳定电流的值分别为____和___。
a、6.6v 0ma
b、6v 10ma
c、3v 0ma
d、6v 3.3ma
8、稳压管电路如图所示，的稳定电压，限流电阻，，当时，输出电压和稳压管的稳定电流的值分别为____和___。
a、6v 80ma
b、3.3v 0a
c、6v 66ma
d、0v 0ma
9、p型半导体中的载流子有______。
a、自由电子、空穴
b、自由电子、空穴、正离子
c、自由电子、空穴、负离子
d、价电子、空穴
10、已知d1、d2是理想二极管，求输出电压vo的值。
a、9v
b、8v
c、10v
d、4v
11、已知d1、d2是理想二极管，求输出电压vo的值。
a、9v
b、8v
c、10v
d、4v
12、空穴电流是自由电子递补空穴产生的。
13、n型半导体的多数载流子是自由电子。
14、温度升高时，本征半导体的导电能力几乎不变。
15、只要在二极管两端施加足够大的电压，二极管就会导通。
16、硅二极管的导通电压约为0.6-0.8v，锗二极管的导通电压约为0.2-0.3v。
17、n型半导体带负电，而p型半导体带正电。
18、半导体的导电方式区别于导体在于：前者具有______电流。
19、稳压二极管工作在______区时，它两端的电压是稳定电压vz。
20、pn结两边掺杂浓度越高，阻挡层的宽度就越____。
第2章 晶体三极管第2章单元测试1、三极管饱和模式的偏置条件是______。
a、发射结正偏，集电结反偏
b、发射结正偏，集电结正偏
c、发射结反偏，集电结正偏
d、发射结反偏，集电结反偏
2、在交流通路中，大电容和大电感应分别作______处理。
a、短路和短路
b、短路和开路
c、开路和短路
d、开路和开路
3、放大器的静态工作点设置过高，在输入电压信号较大的情况下，输出电压波形可能会首先产生______失真。
a、饱和失真
b、截止失真
c、线性失真
d、以上均有可能
4、共e组态放大器的输入端和输出端分别是______。
a、b和c
b、c和b
c、b和e
d、e和b
5、晶体三极管放大模式对应的偏置条件是______。
a、发射结正偏，集电结正偏
b、发射结正偏，集电结反偏
c、发射结反偏，集电结正偏
d、发射结反偏，集电结反偏
6、晶体三极管小信号模型中，体现对的控制作用的参数是______。
a、
b、
c、
d、
7、晶体三极管小信号模型中，体现基区宽度调制效应的参数是______。
a、
b、
c、
d、
8、晶体管具有正向受控作用的工作模式是______。
a、饱和
b、截止
c、放大
d、倒置
9、独立的直流电压源和直流电流源在交流通路中应分别作______处理。
a、开路和短路
b、短路和开路
c、保留不变
d、短路和短路
10、工作在放大模式的晶体三极管，发射结电容和集电结电容分别以______为主。
a、势垒电容和扩散电容
b、扩散电容和势垒电容
c、扩散电容和扩散电容
d、势垒电容和势垒电容
11、图中的晶体三极管工作在______模式。
a、放大
b、饱和
c、截止
d、击穿
12、图中的晶体三极管工作在______模式。
a、放大
b、饱和
c、截止
d、击穿
13、图中的晶体三极管工作在______模式。
a、放大
b、饱和
c、截止
d、倒置
14、为了减少寄生电流，基区宽度越宽越好。
15、制造晶体管时要求发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。
16、共基极电流传输系数是恒大于1的。
17、晶体管的极间电容对低频特性无影响，但会使高频特性恶化。
18、随着温度升高，晶体管的值会变大。
19、pnp型晶体管工作在放大区时，发射极电流的方向是流出管子的。
第3章 场效应管第3章单元测试1、场效应管被称为单极型器件，是因为它是利用______导电。
a、自由电子
b、空穴
c、多子
d、少子
2、某nemos管当衬底电压时，工作在饱和区。现在给加一个负值的电压，其它偏置条件不变，若管子仍正常地工作在饱和区，则该管静态漏极电流将______。
a、增大
b、减小
c、不变
d、以上均有可能
3、一个fet的输出特性曲线如图所示，则该fet的类型为______。
a、nemos
b、ndmos
c、pemos
d、pdmos
4、一个fet的转移特性曲线如图所示，则该fet的类型为____。
a、pemos
b、pdmos
c、ndmos
d、nemos
5、关于n沟道jfet工作在饱和区的偏置电压极性，描述正确的是______。
a、,
b、,
c、，
d、,
6、某fet各极电位如图所示，已知，则管子工作在_____。
a、饱和区
b、非饱和区
c、截止区
d、击穿区
7、某fet各极电位如图所示，已知，则管子工作在_____。
a、饱和区
b、非饱和区
c、截止区
d、击穿区
8、图中fet的工作状态是______。
a、饱和
b、非饱和
c、截止
d、击穿
9、以下关于n沟道mosfet的描述，正确的是______。
a、具有较小的输入电阻
b、开启电压随温度升高而升高
c、热稳定性比双极型晶体管好
d、衬底和源极相连或接在电路的最高电位
10、场效应管中只有多数载流子参与导电，因此其工作温度没有限制。
11、晶体三极管的跨导与其静态电流成正比；场效应管的跨导与其静态电流成正比。
12、n沟道结型场效应管用作压控电阻时，越高，漏源之间呈现的电阻值越小。
13、各种类型的场效应管中漏极电流的正向受控作用都是通过改变漏源间沟道导电能力来实现的。
14、场效应管和晶体三极管都具有正向受控作用，二者均可视为电流控制型器件。
第4章 放大器基础（一）第4章单元测试（1-2节）1、电压放大器对输入电阻和输出电阻的要求是：
a、输入电阻越大越好，输出电阻越小越好。
b、输入电阻越小越好，输出电阻越大越好。
c、二者均越小越好。
d、二者均越大越好。
2、电流放大器对输入电阻和输出电阻的要求是：
a、输入电阻越大越好，输出电阻越小越好。
b、输入电阻越小越好，输出电阻越大越好。
c、二者均越大越好。
d、二者均越小越好。
3、在固定偏置的共e放大电路中，如果过小容易引起的失真为_____，输出电压波形的______附近被削平。
a、截止失真，正峰值
b、截止失真，负峰值
c、饱和失真，正峰值
d、饱和失真，负峰值
4、在中频段，对放大器进行分析时，应将耦合电容和旁路电容____处理，晶体管寄生电容______处理。
a、开路，开路
b、短路，短路
c、短路，开路
d、开路，短路
5、关于分压式偏置共e电路，以下描述正确的是______。
a、将开路，电压增益将变小。
b、输出电阻主要取决于。
c、变化对电压增益和电流增益均无影响。
d、增大，电压增益将变大。
6、关于图示电路，描述正确的是______。
a、这是一个共s电路。
b、电路的电压增益小于1，电流增益很大。
c、若rg3越大，则栅极的直流电位越高，放大器的输入电阻越大。
d、放大器的输出电压和输入电压相位相同。
7、射极输出器作为多级电压放大器的第一级，是利用它来降低整个放大器的输出电阻。
8、共基极和共集电极放大电路只能放大电压或电流，因此它们无功率放大能力。
9、判断图中电路是否能正常工作？
10、判断图中电路是否能正常工作？
11、某放大电路在负载开路时的输出电压为6v，当接入2kw负载电阻后，输出电压降为4v，这表明该放大电路的输出电阻为 kw。
12、若放大器的中频段电压增益为100倍，当其下降到 db时，对应的频率差值称为放大器的通频带。
第4章放大器基础（二）第4章单元测试（3-6节）1、以下放大器中，具有最高上限频率的是_____。
a、共c-共e
b、共e-共e
c、共e-共c
d、共b-共e
2、以下关于题图电路的描述中，正确的是______。
a、这是一个共s-共e两级放大电路，具有很高的电压增益和电流增益。
b、t1和t2管之间采用的是直接耦合方式，因此两管的静态工作点是独立的。
c、t1管是一个nemos管，采用的是自给偏压方式给栅极供电。
d、输入电压和输出电压是反相关系，电路的输入电阻是10m。
3、已知单级电压放大器的性能指标如图，当输入端与内阻的电压源相连，输出端与负载电阻相连时，该放大器的源电压增益等于______。
a、-100
b、-50
c、-25
d、-200
4、若将两级图示放大电路级联，第一级的输入端与内阻的信号源相连，第二级的输出端与负载电阻相连，两级电路的源电压增益等于______。
a、10000
b、833
c、2500
d、1250
5、两级放大电路的第一级为共c电路，第二级为发射极交流接地的共e电路。下列描述正确的是______。
a、电压增益主要由第二级提供
b、电路具有较高的输入电阻
c、电压增益主要由第一级提供
d、电路具有较低的输出电阻
6、为了提高共e电路的上限频率，对晶体管的要求是______。
a、小
b、小
c、高
d、大
7、关于差分放大电路，以下描述正确的是______。
a、共模抑制比越大越好
b、常用作集成运放的第一级
c、采用恒流源偏置可以提高差模电压增益
d、需要放大的有用信号可以用差模或共模的形式输入。
8、晶体管镜像电流源电路如图所示，为了提高它的精度和热稳定性，以下说法正确的是______。
a、晶体管的值越大越好
b、晶体管厄尔利电压的绝对值越大越好
c、越大越好
d、电阻越大越好
9、以下关于题图电路的描述中，正确的是______。
a、由于接成双端输出的形式，理想情况下电路的共模电压增益趋于0。
b、在单管等效电路中，t3管等效为很大的电阻。
c、t3和t4管构成的电流源作为差分放大器的有源负载，起到提高共模反馈电阻的作用。
d、t3管集电极电流约为t4管集电极电流的1/5。
10、差分放大电路的共模输入电压是两个输入电压的和。
11、差分放大电路常用作多级直接耦合放大电路的第一级，因为它有很高的输入电阻。
12、在多级放大电路中，采用直接耦合方式引起的零点漂移问题比电容耦合方式严重。
13、为了提高放大电路的上限频率，晶体管的极间电容越大越好。
14、对一个可实现的稳定系统，极点可以是正实数或实部为正值的共轭复数。
15、多级放大电路中，前一级的输出电阻是后一级的输入电阻。
16、多级放大电路中，前一级的负载电阻是后一级的信号源内阻。
第5章 放大器中的负反馈第5章单元测试1、在输入信号不变的情况下，若引入反馈后（），则说明引入的是负反馈。
a、输入电阻增大
b、输出信号增大
c、净输入信号增大
d、净输入信号减小
2、欲从信号源获得更大电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入（）负反馈。
a、电压串联
b、电压并联
c、电流串联
d、电流并联
3、要求输入电阻大，输出电压稳定，应在放大电路中引入（）负反馈。
a、电压串联
b、电压并联
c、电流串联
d、电流并联
4、深度电流串联负反馈放大器相当于一个（）。
a、压控电压源
b、压控电流源
c、流控电压源
d、流控电流源
5、如图所示电路中引入的是（）反馈。
a、电流串联负
b、电流并联负
c、电压并联负
d、电流并联正
6、如果所示电路中引入的是（）负反馈。
a、电压串联
b、电压并联
c、电流串联
d、电流并联
7、若某反馈放大器环路增益波特图如图所示，则该放大器（）。
a、相位裕量大于零，不自激
b、相位裕量小于零，不自激
c、相位裕量大于零，自激
d、相位裕量小于零，自激
8、若反馈放大器的开环增益为10，反馈系数为0.1，则闭环增益为____。
9、若反馈放大器的开环增益为10，反馈系数为0.1，则反馈深度为____。
10、如图所示反馈放大器，若设其中各电阻阻值均为1kω，则该反馈放大器的反馈系数为______。
11、设某电压串联负反馈放大器的基本放大器的输入电阻为10kω，反馈深度10，则该反馈放大器的输入电阻为______kω。
12、电路如图所示，在深度负反馈条件下估算源电压增益为______（设rf=10kω，r1=1kω）。
13、设负反馈放大器的开环增益为100，反馈系数为0.09，则该放大器的增益灵敏度为______。
第6章 集成运算放大器及其应用电路第6章单元测试1、理想运放电路如图所示，输出电压的值为______v。
a、6
b、3
c、2
d、0
2、图示运放构成的放大电路，引入的负反馈类型是______。
a、电压串联
b、电压并联
c、电流串联
d、电流并联
3、图示运放构成的放大电路中，引入的负反馈类型是______。
a、电压并联
b、电压串联
c、电流串联
d、电流并联
4、如图所示电路，已知两个稳压管的稳定电压均为6v、导通电压均为0.6v，则该迟滞比较器的两个门限电平的值为_____。
a、 3.3v，-3.3v
b、 2.7v，-2.7v
c、 3v，-3v
d、 6.6v，-6.6v
5、图示理想运放构成的电路，以下描述正确的是_____。
a、这是一个同相放大器
b、这是一个反相放大器
c、电路的输入电阻等于r2
d、电路的输入电阻趋于无穷
6、图示电路中运放是理想的，以下描述正确的是______。
a、这是一个反相放大器。
b、放大器的输入电阻趋于无穷，输出电阻趋于0。
c、当反馈电阻开路时，运放工作在非线性区，构成比较器。
d、当r1=10k，rf=20k时，输出电压的幅度是输入电压的1/2。
7、以下关于理想运放的描述，正确的是______。
a、理想运放输入端的电流趋于零。
b、理想运放的两个输入端同时具有“虚短路”和“虚断路”特性。
c、理想运放只有施加负反馈，才能工作在线性区。
d、理想运放当施加负反馈时，可以用作比较器。
8、为了便于集成，理想运的内部放大电路之间的耦合方式为直接耦合方式。
9、理想运放的两个输入端具有虚短特性。
10、理想运放的输入级采用差分放大电路，作用是提高电压增益。
11、理想集成运放只能放大差模信号，不能放大共模信号。
12、单限比较器比迟滞比较器抗干扰能力强，而迟滞比较器比单限比较器灵敏度高。
13、当理想运放工作在非线性区时，输出电压不是高电平，就是低电平。
期末考试客观题1、当晶体三极管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为______。
a、前者反偏、后者也反偏
b、前者反偏、后者正偏
c、前者正偏、后者反偏
d、前者正偏、后者也正偏
2、pn结加正偏电压时，空间电荷区将____；当正偏电压越大，通过空间电荷区的电流就____。
a、变宽；越大
b、变窄；越大
c、变宽；越小
d、变窄；越小
3、工作在放大区的某三极管，当从12增大到22时，从1增大到2，那么它的约为______。
a、100
b、83
c、91
d、110
4、一个fet的转移特性曲线如图所示，则该fet的类型为______。
a、p沟道dmos管
b、p沟道emos管
c、n沟道dmos管
d、n沟道emos管
5、图示电路中，二极管的导通电压均为0.6v，r1=r2=1，r3=9。当=10v，=5v时，d1、d2的工作状态为____。
a、d1导通，d2截止
b、d1截止，d2导通
c、d1和d2均导通
d、d1和d2均截止
6、测得一个锗pnp管三个电极的电位是：=3v,=0v，=2v，则可以断定该管工作在___。
a、放大状态
b、饱和状态
c、截止状态
d、倒置状态
7、若需设计一个多级放大器，要求输入电阻大、输出电阻小、电压增益大于1，则应选择下列哪一个级联方案？
a、共b-共c
b、共c-共c
c、共c-共e-共c
d、共c-共e
8、图示电路正常放大时测得三极管各极的直流电压值为：，，。检查电路故障时，再次测量各极的直流电压值。现测得：，，，试问：三极管工作在____区；产生故障的原因是____。
a、截止；rb1开路
b、饱和；rb1开路
c、截止；rb2开路
d、饱和；rb2开路
9、某放大器要求输出电流几乎不随负载电阻的变化而变化，且信号源内阻很大，宜选用的负反馈类型为______。
a、电压串联
b、电压并联
c、电流串联
d、电流并联
10、放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是______。
a、耦合电容和旁路电容的存在
b、晶体管极间电容和分布电容的存在
c、晶体管的非线性特性
d、放大电路的静态工作点不合适
11、图中电路可以正常放大。
12、图中电路可以正常放大。
13、图中电路可以正常放大。
14、图中管子工作在饱和区, 已知。
15、图示差分放大器，输出电压和输入电压是同相的关系，共模电压增益为无穷大。
16、图示电路中rf引入的反馈类型是______负反馈。
17、图中管子工作在___区。
18、图中电路的反馈类型是______。
19、晶体三极管的特征频率是指当下降到等于__时的频率。
20、图示放大电路，若场效应管的，则差模电压增益等于___。
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