第一章 半导体器件半导体器件1、n型半导体是在本征半导体中掺入（ ）元素构成的。
a、五价
b、三价
c、四价
d、不能确定
2、p型半导体中多子为（ ）。
a、空穴
b、电子
c、电子-空穴对
d、不能确定
3、ｐｎ结外加正向电压时，扩散电流 （ ）漂移电流。
a、大于
b、小于
c、等于
d、不能确定
4、理想二极管电路如图所示，其输出电压为（ ）。
a、 6v
b、-18v
c、0v
d、-5v
5、理想二极管电路如图所示，其输出电压为（ ）。
a、-6v
b、-1v
c、 6v
d、0v
6、理想二极管电路如图所示，其输出电压为（ ）。
a、-6v
b、-1v
c、-2v
d、-5v
7、ｐｎ结外加正向电压时，耗尽层将（ ）。
a、变窄
b、变宽
c、不变
d、不能确定
8、稳压管的稳压区是工作在（ ）。
a、反向击穿
b、正向导通
c、反向截止
d、反向截止或击穿
9、n沟道结型场效应管的栅源偏压应该处于（ ）范围之内。
a、
b、
c、
d、
10、测得放大电路中晶体三极管三个电极的直流电位分别为：① -2.3v，② -3v，③ －6.5v， 则该晶体管集电极为（ ）。
a、③
b、①
c、②
d、无法确定
11、某mosfet的各极电压如图所示，则此管工作在（ ）区。
a、恒定电阻区
b、预夹断
c、可变电阻区
d、已夹断
12、由硅二极管（假设均为理想二极管）组成的电路如图所示，电阻中的电流i为（ ）ma。
a、-1.5
b、2
c、0.5
d、1.5
13、测得某npn管的， ，由此可判定它工作在（ ）区。
a、饱和
b、放大
c、截止
d、反向放大
14、电路如图所示，设二极管均为理想的二极管，则输出电压为（ ）v。
a、-6
b、6
c、0
d、12
15、硅二极管的正向压降在0.7v的基础上增加10%，它的电流将（ ）。
a、增加10%以上
b、增加10%
c、增加小于10%
d、基本不变
16、电路如图所示，稳压管，其正向导通电压为0.7v，则等于（ ）。
a、0.7
b、5
c、9.3
d、10
17、测得放大电路中晶体三极管三个电极的直流电位分别为：① 2.3v，② 3v，③ 6v， 则该晶体管的集电极为（ ）。
a、③
b、①
c、②
d、无法确定
18、杂质半导体主要用到了半导体物质的（ ）特性。
a、热敏性
b、光敏性
c、掺杂性
d、无法确定
19、pn结的击穿发生在（ ）。
a、正向电压较大时
b、反向电压较小时
c、反向电压超过某一限度时
d、无法确定
20、稳压管是利用pn结的（ ）特性制成。
a、单向导电性
b、击穿特性
c、电容特性
d、无法确定
21、pn结正向运用时，（ ）电容起主要作用。
a、扩散
b、势垒
c、扩散和势垒
d、无法确定
22、二极管的反向饱和电流会随着温度的升高而（ ）。
a、升高
b、降低
c、不变
d、无法确定
23、下列情形下，二极管可以导通的是（ ）。
a、p端接 5v，n端接 7v
b、p端接 5v，n端接 2v
c、p端接-3v，n端接 7v
d、p端接-5v，n端接-2v
24、晶体三极管工作在放大状态下必须满足（ ）的状态。
a、发射结、集电结均正偏
b、发射结、集电结均反偏
c、发射结正偏，集电结反偏
d、发射结反偏，集电结正偏
25、场效应晶体管的放大作用表现为（ ）。
a、栅极电流控制漏极电流
b、栅源电压控制漏极电流
c、漏源电压控制漏极电流
d、源极电流控制漏极电流
26、下面关于绝缘栅场效应管描述正确的是（ ）。
a、耗尽型mosfet的导电沟道，在未加入栅源电压时是不存在的；
b、增强型mosfet的导电沟道，只有当栅源电压超过某个阈值时才会出现；
c、n沟道耗尽型mosfet的栅源电压必须小于零
d、n沟道耗尽型mosfet的栅源电压必须大于零
27、某结型场效应管的夹断电压为3v，源极电位1v，栅极电位3v，漏极电位-10v，则下述关于该fet说法正确的是（ ）。
a、p沟道管，工作在可变电阻区
b、n沟道管，工作在放大区
c、p沟道管，工作在放大区
d、n沟道管，工作在可变电阻区
28、某结型场效应管的夹断电压为-3v，源极电位3v，栅极电位-1v，漏极电位10v，则下述关于该fet说法正确的是（ ）。
a、p沟道管，工作在可变电阻区
b、n沟道管，工作在放大区
c、p沟道管，工作在截止区
d、n沟道管，工作在截止区
29、某绝缘栅场效应管的开启电压为4v，源极电位-2v，栅极电位3v，漏极电位-1.2v，则下述关于该fet说法正确的是（ ）。
a、n沟道增强型管，工作在可变电阻区
b、n沟道耗尽型管，工作在放大区
c、p沟道增强型管，工作在截止区
d、p沟道耗尽型管，工作在放大区
30、测得放大电路中三极管三个管脚的对地电位分别为：①3.3v，②2.6v， ③15v，则对该三极管描述正确的是（ ）。
a、npn型ge材料三极管，①b极，②e极， ③c极
b、pnp型ge材料三极管，①b极，②e极， ③c极
c、npn型si材料三极管， ①b极，②e极， ③c极
d、pnp型si材料三极管， ①e极，②b极， ③c极
31、本征半导体不具备导电性能。
32、p型半导体和n型半导体放在一起，可以构成了pn结。
33、p型半导体是掺入三价元素形成的，其载流子为空穴。
34、n型半导体是掺入五价元素形成的，其多数载流子为空穴。
35、pn结具有单向导电性。
36、无外加电压时，pn结中没有载流子流动。
37、无外加电压时，由于pn结中有内建电场，因而pn结中有载流子流动，pn结中存在电流。
38、无外加电压时，pn结中没有载流子的运动。
39、二极管击穿，一定会损坏二极管。
40、理想二极管两端正向电压增加，流过二极管的电流将显著增加。
41、二极管两端反向电压增加，流过二极管的电流不变。
42、图示电路中vd1、vd2处于导通状态。
43、由于稳压二极管稳压时工作在反向击穿状态，因此呈现的电阻阻值较大。
44、晶体三极管在放大状态下有：发射结正偏，集电结反偏。
45、晶体三极管在饱和状态下有：发射结正偏，集电结反偏。
46、耗尽型绝缘栅场效应管初始时存在导电沟道。
47、增强型绝缘栅场效应管初始时存在导电沟道。
48、结型场效应管初始时存在导电沟道。
49、n型半导体中存在电子，不存在空穴。
50、p型半导体中既有电子，又有空穴。
51、本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。
52、p型半导体带正电，n型半导体带负电。
53、本征半导体的导电性能主要受掺杂浓度的影响。
54、常温下，本征半导体中存在电子空穴对。
55、pn结中存在电子空穴对。
56、n型半导体中既有电子也有空穴，因此n型半导体带电情况由电子数与空穴数的多少来确定。
57、p型半导体是电中性的，因此电子数等于空穴数。
58、当p区接外加电源正极，n区接外加电源负极时，pn结处于导通状态。
59、只要pn结击穿后流过的电流不超过某一限度，该pn结即保持无损。
60、二极管正向工作时，若需要电流增大为原来的10倍，则二极管外加电压u也需要增大10倍。
61、二极管正向应用时，直流电阻不随外加电压变化而变化。
62、稳压管的动态电阻越小，稳压性能越好。
63、晶体三极管的发射区与集电区是同类型杂质半导体，因此集电极和发射极可以对调使用。
64、晶体管温度升高，则变（ ）。
65、温度增加，二极管导通电压变（ ）。
66、场效应管的输入电阻（ ）三极管的输入电阻。
67、测得放大电路中晶体三极管三个电极的直流电位分别为：① 2.3v，② 3v，③ －6v， 则该晶体管为( )型管。
68、绝缘栅场效应管、结型场效应管和双极型晶体管，三种管子其输入电阻最高的是（ ）。
69、电路如图所示，设vz1与vz2性能相同，其击穿电压均为7v，正向导通电压均为0.7v，u=（ ）v。
70、当pn结外加反向电压时，扩散电流（ ）漂移电流。
71、当pn结外加正向电压时，pn的宽度将变（ ）。
72、p型半导体是在本征半导体中掺入（ ）价元素构成的。
73、在正向电压作用下，若流过二极管的电流为2ma，则其交流电阻近似为（ ）ω。
第二章 放大器基础放大器基础1、放大器的输入电阻与信号源内阻（ ）。
a、无关
b、信号源内阻越大，放大器的输入电阻越大
c、信号源内阻越小，放大器的输入电阻越大
d、不能确定
2、电路如图所示，增加，电压放大倍数将（ ）。
a、减小
b、增加
c、不变
d、不能确定
3、电路如图所示，rc增加，电压放大倍数将（ ）。
a、增加
b、减小
c、不变
d、不能确定
4、场效应管放大器的输入电阻（ ）晶体三极管的输入电阻。
a、大于
b、小于
c、等于
d、不能确定
5、三极管的三种基本放大组态电路，说法正确的是（ ）。
a、ce组态是电压反相放大器
b、cc组态的输入电阻最小
c、cb组态的输出电阻最小
d、cc组态电压放大倍数等于1
6、图示电路中，已知，则等于（ ）。
a、2ma
b、0.5ma
c、1ma
d、无法确定
7、图示电路是一（ ）组态电路。
a、共漏
b、共源
c、共栅
d、不能确定
8、图示电路的电压放大倍数（ ）。
a、约为1
b、远大于1
c、远小于1
d、约为-1
9、电路如图所示，这是一（ ）组态放大器。
a、ce
b、cc
c、cb
d、不能确定
10、电路如图所示，如果电容开路，电路的电压放大倍数将（ ）。
a、减小
b、增加
c、不变
d、不能确定
11、电路如图所示，已知=50，=1.23k，则考虑信号源内阻时电压放大倍数约为（ ）。
a、-41
b、41
c、76
d、-76
12、电路如图所示，减小，则放大倍数（ ）。
a、增加
b、不变
c、减小
d、不能确定
13、电路如图所示，已知=4ms，=。电路的电压放大倍数为（ ）。
a、-10
b、10
c、40
d、-40
14、电路如图所示，已知=4ms，=。电路的输入电阻为（ ）。
a、5m
b、1.5k
c、
d、0
15、电路如图所示，已知=4ms，=。电路的输出电阻为（ ）。
a、20k
b、10k
c、40k
d、1.5k
16、电路如图所示，减小，则输入电阻（ ）
a、减小
b、增加
c、不变
d、不能确定
17、电路如图所示，已知>>1，=0.7v，图中的为（ ）。
a、1ma
b、1.5ma
c、1.43ma
d、无法确定
18、电路如图所示，已知>>1，=0.7v，要求=1ma，则为（ ）。
a、4.3k
b、1k
c、10k
d、无法确定
19、电路如图所示，已知>>1，=0.7v，图中的为（ ）。
a、1.43ma
b、1.5ma
c、1ma
d、无法确定
20、某放大电路在负载开路时的输出电压为6v，当接入2kω负载后，其输出电压降为4v，这表明该放大电路的输出电阻（ ）kω。
a、1
b、10
c、2
d、0.5
21、具有高输入电阻、低输出电阻的放大器为（ ）。
a、cc放大器
b、ce放大器
c、cb放大器
d、不可能存在
22、共射放大电路如图（a）所示，当输入信号为mv正弦波时，若输出波形如图（b）所示，该电路发生了（ ）失真，若只能调整基极电阻改善失真，则应（ ）。
a、饱和，增大
b、饱和，减小
c、截止，增大
d、截止，减小
23、在三种组态（共基、共射、共集）放大电路中，带负载能力最强的（ ）。
a、共基
b、共集
c、共射
d、无法确定
24、图示电路中，已知，，当输入信号幅度增大到一定值时，电路将首先出现（ ）。
a、饱和
b、截止
c、饱和和截止
d、无法确定
25、某放大电路在负载开路时的输出电压为6v，当接入2kω负载后，其输出电压降为4v，这表明该放大电路的输出电阻为（ ）kω。
a、1
b、10
c、2
d、0.5
26、某放大器的交直流负载线如图所示，忽略晶体管的饱和压降，则最大不失真输出电压振幅值为（ ）v。
a、3
b、6
c、12
d、无法确定
27、对于电压放大器，为了得到尽可能大的电压增益，要求（）。
a、输入电阻远大于信号源内阻，输出电阻远小于负载电阻。
b、输入电阻远大于信号源内阻，输出电阻远大于负载电阻。
c、输入电阻远小于信号源内阻，输出电阻远小于负载电阻。
d、输入电阻远小于信号源内阻，输出电阻远小于负载电阻。
28、放大器的噪声系数反映了（ ）。
a、放大器输入噪声大小
b、放大器输出噪声大小
c、放大器内部噪声大小
d、放大器信噪比大小
29、放大器①和②的传输特性曲线分别如图1中实线和虚线所示，当小信号工作时，正确表述为（ ）。
a、放大器①的电压放大倍数数值更大
b、两放大器的电压放大倍数大小相同
c、放大器①为反相放大器
d、两放大器均为同相放大器
30、放大器电路如图所示，则为（ ）。
a、0.1ma
b、0.2ma
c、0.3ma
d、0.01ma
31、放大器电路如图所示，则为（ ）。
a、5.7 v
b、10.7 v
c、7.7 v
d、9.7 v
32、放大器电路如图所示，若增加，则将（ ）。
a、增大
b、不变
c、减小
d、不能确定
33、放大器电路如图所示，若增加，则将（ ）。
a、增大
b、不变
c、减小
d、不能确定
34、放大器电路如图所示，若增加，则将（ ）。
a、增大
b、不变
c、减小
d、不能确定
35、放大器电路如图所示，若增加，则将（ ）。
a、增大
b、不变
c、减小
d、不能确定
36、放大器电路如图所示，若增加，则将（ ）。
a、增大
b、不变
c、减小
d、不能确定
37、电路如图所示，则晶体管工作于（ ）。
a、饱和区
b、放大区
c、截止区
d、不能确定
38、放大器的输出电阻越大越好。
39、放大器的输入电阻越大越好。
40、放大器的非线性失真与静态工作点无关。
41、放大器的非线性失真只与静态工作点有关。
42、放大器的非线性失真与输入信号幅度大小有关。
43、放大器的非线性失真与输入信号频率大小有关。
44、场效应管放大器的噪声小于晶体三极管放大器的噪声。
45、放大器的输出电阻与负载大小无关。
46、晶体三极管h参数等效电路可以用来分析静态工作点。
47、电路如图所示，放大器的电压放大倍数与无关。
48、电路如图所示，电路的静态工作点与温度无关。
49、电路如图所示，如果将和短路，电路的静态工作点不会改变。
50、放大器输入电阻越大越好，输出电阻越小越好。
51、放大器电路如图所示，则该放大器为电压同相放大器。
52、图示电路为cc组态放大器。
53、图示电路为ce组态放大器。
54、放大电路如图所示，若输入端为x，输出端为y，z接地，则该电路的组态为cs组态。
55、放大电路如图所示，若输入端为x，输出端为z，y接地，则该电路的组态为cs组态。
56、放大电路如图所示，若输入端为y，输出端为z，x接地，则该电路的组态为cs组态。
57、h参数等效电路不能用于分析三极管放大器的直流工作点。
58、放大电路如图所示，该电路可以从x端输出。
59、放大电路如图所示，该电路可以从y端输入。
第二章 放大器基础多级及差分放大器1、图示电路，是一个（ ）级放大器。
a、两
b、三
c、五
d、四
2、图示电路的输出电阻为（）。
a、20k
b、10k
c、5k
d、不能确定
3、电路如图所示，已知, , 电路的差模输入电阻为（ ）。
a、22k
b、10.5k
c、5.5k
d、2k
4、电路如图所示，已知, , 电路的共模输入电阻约为（ ）。
a、11k
b、48k
c、24k
d、15.5k
5、电路如图所示，已知, , 电路的为（ ）。
a、0
b、
c、-50
d、50
6、差分放大器两个输入端分别输入电压50mv和10mv时，则差模输入电压（ ）mv。
a、40
b、10
c、50
d、30
7、直接耦合多级放大器中，影响零点漂移最严重的是（ ）。
a、输入级
b、中间级
c、输出级
d、放大倍数最大的级
8、差分放大器两个输入端分别输入电压70mv和30mv时，则共模输入电压为（ ）mv。
a、50
b、100
c、40
d、20
9、图示电路为（ ）组态电路。
a、cd-ce
b、cs-ce
c、cd-cc
d、cs-cc
10、图示电路为（ ） 级放大器。
a、一
b、二
c、三
d、无法确定
11、已知差分放大器的差模电压放大倍数=100，共模抑制比=60db，则共模信号放大倍数为（ ）。
a、0.1
b、1
c、100
d、1000
12、图示电路为改进型差分放大器，其中加入电阻的目的是（ ）。
a、增大差模输入线性范围
b、增大差模增益
c、减小差模增益
d、减小差模输入线性范围
13、图示电路为改进型差分放大器，其中加入电阻的目的是（ ）。
a、增大共模抑制比
b、减小差模增益
c、减小共模抑制比
d、增大差模增益
14、图示电路为差分放大器，和特性完全相同，则其差模放大倍数为（ ）。
a、-222.2
b、222.2
c、111.1
d、-111.1
15、图示电路为差分放大器，和特性完全相同，则其单端输出共模放大倍数为（ ）。
a、-0.49
b、-111.1
c、-1
d、-222.2
16、下列方法中，（ ）不是增大差分放大器共模抑制比的方法。
a、双端输出时，使电路尽可能对称
b、单端输出时，e极增加电阻
c、采用带恒流源的差分对电路
d、增大c极电阻
17、有源负载的特点是：对直流呈现（ ） 电阻，对交流呈现（ ）电阻。
a、小，大
b、大，大
c、大，小
d、小，小
18、图示电路中，说法正确的是（ ）。
a、和构成差分对电路
b、、和构成多级放大器
c、cd组态放大器
d、cs组态放大器
19、电流源电路作为放大电路的有源负载，主要是为了提高（ ）。
a、电流放大倍数
b、电压放大倍数
c、输入电阻
d、输出电阻
20、图示电路中，和特性完全相同，输入电阻为（ ）。
a、
b、
c、
d、
21、图示电路中，和特性完全相同，下列叙述正确的是（ ）。
a、为电流源电路、为cb组态放大器。
b、其它选项都不正确。
c、为ce组态放大器、为有源负载
d、为ce组态放大器、为cb组态放大器。
22、关于电容耦合多级放大器，说法错误的是（ ）。
a、电容耦合多级放大器各级静态工作点互不影响、各自独立， 便于设计和调试。
b、只要信号频率不是太低，耦合电容的容量足够大，就可使信号顺利通过电容耦合多级放大器。
c、电容耦合多级放大器在分立电路中获得了广泛的应用。
d、电容耦合多级放大器在集成电路中获得了广泛的应用。
23、设计一个两级放大电路，要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻至少大于2m ω ，输出电阻应小于100ω，则第一级和第二级可采用的组态分别为（ ）。
a、共漏电路，共射电路
b、共源电路，共集电路
c、共基电路，共漏电路
d、共源电路，共射电路
24、对于图示电路，下列说法正确的是（ ）。
a、cd-cc电路
b、cs-cc电路
c、cs-ce电路
d、cd-ce电路
25、对于图示电路，输入电阻为（ ）。
a、
b、
c、
d、其它答案均不正确
26、放大器由差分放大电路后接射极跟随器构成，已知差分放大电路的差模放大倍数=100，共模放大倍数=0。当=3mv、=-3mv时，则放大器的输出电压为（ ）mv。
a、600
b、0
c、-600
d、其它答案均不对
27、图示电路是一个共源-共集的两级放大器。（ ）
28、如图所示的电路，由于与不相等，故该电路的共模抑制能力较差。
29、图示电路的共模抑制比为无穷大。
30、图示电路的共模抑制比为无穷大。
31、差分放大器只有双端输出时才有抑制共模信号的能力。
32、电路如图所示，三极管的导通电压均为0.6v。约为1ma。
33、电路如图所示，三极管的导通电压均为0.6v。约为1ma。
34、由于图示电路为单端输出信号，所以共模抑制比不高。
35、图示电路中与同相。（ ）
36、图示电路为一级放大器电路。
37、图示电路为三级放大器电路。
38、图示电路中与同相。（ ）
39、图示电路为ce-cc组态电路。
40、图示电路中与同相。（ ）
41、图示电路是一个两级放大器。
42、图示电路是一个ce组态的放大器。
43、图示电路中，是的有源负载。
44、图示电路中，和特性完全相同，则输出电阻约为。。
45、级联放大器总的噪声系数大于第一级放大器的噪声系数。
第三章 放大器的频率特性放大器的频率特性1、已知放大器的中频电压增益为40db，，，最大不失真输出电压幅度为10v，试问当输入信号为 v 时，放大器会（ ）。
a、产生线性失真，但无非线性失真
b、产生非线性失真，但无线性失真
c、产生线性失真和非线性失真
d、不产生失真
2、已知放大器的中频电压增益为40db，，，最大不失真输出电压幅度为10v，试问当输入信号为 v 时，放大器会（ ）。
a、产生线性失真，但无非线性失真
b、产生非线性失真，但无线性失真
c、产生线性失真和非线性失真
d、不产生失真
3、已知放大器的中频电压增益为40db，，，最大不失真输出电压幅度为10v，试问当输入信号为 v 时，放大器会（ ）。
a、不产生失真
b、产生线性失真和非线性失真
c、产生非线性失真，但无线性失真
d、产生线性失真，但无非线性失真
4、放大器的下限频率是由（ ）区等效电路中回路的时间常数所决定。
a、低频
b、高频
c、中频
d、无法确定
5、晶体管高频区频率响应可以采用（ ）进行分析。
a、混合型等效电路
b、h参数微变等效电路
c、混合型等效电路及h参数微变等效电路
d、无法确定
6、h参数微变等效电路适用于分析（ ）。
a、低频及中频区
b、中频及高频区
c、低频及高频区
d、低频、中频及高频区
7、输入信号的带宽大于放大器通频带时，一定会出现（ ）。
a、线性失真
b、非线性失真
c、非线性失真和线性失真
d、其它答案均不正确
8、阻容耦合的放大电路中，影响上限频率的主要因素为（ ）。
a、耦合电容
b、分布电容
c、耦合电容及分布电容
d、其它答案均不对
9、随着频率的升高，晶体管值将（ ）。
a、下降
b、不变
c、升高
d、不能确定
10、直接耦合的放大器，带宽为无穷大。
11、多级放大器级联后的带宽总是小于单级放大器的带宽。
12、放大器的输入信号幅度改变可能产生线性失真。
13、放大器输入单一频率的信号时，不会出现失真。
14、放大器输入单一频率的信号时，不会出现线性失真。
15、输入信号的带宽大于放大器带宽时将出现线性失真。
16、放大器输入单一频率的信号时，不会出现非线性失真。
17、阻容耦合的放大电路中，耦合电容的大小影响下限频率。
18、阻容耦合的放大电路中，耦合电容的大小影响上限频率。
19、晶体管的特征频率()是指值下降到1时的频率。
20、晶体管的截止频率（ ）是指值下降到1时的频率。
21、某放大电路的幅频特性渐进线波特图如图所示，由此可知中频电压放大倍数为（ ）db。
22、某放大电路的幅频特性渐进线波特图如图所示，由此可知上限频率为（ ）hz。
23、放大器级数越多，带宽越（ ）。
24、高频区输出回路时间常数越小，上限频率越（ ）。
第四章 负反馈放大器负反馈放大器1、串联负反馈只有在信号源内阻（ ）时，其反馈效果才显著；并联负反馈只有在信号源内阻（ ）时，反馈效果才显著。
a、小、大
b、小、小
c、大、大
d、大、小
2、图示电路存在级间（ ）反馈。
a、电压串联正反馈
b、电压串联负反馈
c、电压并联负反馈
d、无
3、图示电路存在级间（ ）反馈。
a、无
b、电压并联负反馈
c、电压串联负反馈
d、电压串联正反馈
4、图示电路存在级间（ ）反馈。
a、电压并联负反馈
b、电压并联正反馈
c、电流并联负反馈
d、电流串联负反馈
5、图示电路存在级间（ ）反馈。
a、电压串联负反馈
b、电压并联负反馈
c、电流串联负反馈
d、另外三个选项都不对
6、图示电路存在级间（ ）反馈。
a、电压并联负反馈
b、电流并联负反馈
c、电流并联负反馈
d、另外三个答案都不对
7、单端输出时，如果将负载电阻短路，反馈消失，则为（）。
a、电压反馈
b、电流反馈
c、串联反馈
d、并联反馈
8、单端输出时，如果将负载电阻短路，反馈存在，则为（）。
a、电流反馈
b、电压反馈
c、串联反馈
d、并联反馈
9、若想增大输入电阻，且保持放大器稳定，放大器应引入（）反馈。
a、串联负
b、串联正
c、并联负
d、并联正
10、若想减少输出电阻，且保持放大器稳定，放大器应引入（）反馈。
a、电压正
b、电流负
c、电压负
d、电流正
11、图示电路存在（ ）。
a、电压串联负反馈
b、电压串联正反馈
c、电流并联负反馈
d、电流串联负反馈
12、3. 图示电路支路引入了（ ）。
a、电压并联正反馈
b、电压并联负反馈
c、电压串联负反馈
d、电流并联负反馈
13、图示电路，若想实现输出电压稳定，则应该在（）引入反馈支路。
a、①和③之间
b、①和④之间
c、②和③之间
d、②和④之间
14、图示电路，若想降低输入电阻，则应该在（）引入反馈支路。
a、①和③之间
b、①和④之间
c、②和③之间
d、②和④之间
15、电压串联负反馈稳定的是输出电压。
16、电压并联负反馈稳定的是输出电流。
17、引入电压并联负反馈后，使得输入电阻减小。
18、引入电流并联负反馈后，使得输入电阻增加。
19、放大器引入负反馈，不影响通频带。
20、根据输出端的取样方式，反馈可分为电压反馈和电流反馈。
21、反馈根据输入端的比较方式，可分为串联反馈和并联反馈。
22、信号源、放大器的输入端和反馈网络三者串联时，为串联反馈。
23、负反馈可以改善放大器的性能，相应的代价是使得放大倍数下降。
24、引入负反馈后，输出噪声电压减小，表明信噪比得到了提高。
25、图示电路支路没有引入交流负反馈。
26、图示电路中，为了使得输出电压稳定，应引入（ ）负反馈。
27、深度负反馈条件下，图示电路的电压放大倍数为（ ）。
28、电路如图所示，存在级间（ ）负反馈。
29、电路如图所示，存在级间（ ）负反馈。
30、电路如图所示，存在级间（ ）负反馈。
31、电路如图所示，深度负反馈条件下的电压放大倍数为（ ）。
32、图示电路，如果在 ②和④之间引入反馈支路，则为电流串联（ ）反馈。
33、图示电路，如果在 ①和④之间引入反馈支路，则为电流并联（ ）反馈。
34、图示电路，如果在②和③之间引入反馈支路，则为电压串联（ ）反馈。
第五章 功率放大器功率放大器1、某ocl功放电路如图所示，已知电源电压为±12v，负载为8ω的扬声器，饱和压降可以忽略，为达到最大输出功率，输入电压幅度为（ ）v。
a、12
b、10
c、6
d、8
2、图示的4种复合管，正确的是（ ）。
a、b
b、a
c、c
d、d
3、已知某功放的最大输出功率为1w，现仅将电源电压提高一倍，其余条件不变，此时的输出功率为（ ）w。
a、1
b、4
c、2
d、无法确定
4、图示的4种复合管，正确的是（ ）。
a、d
b、a
c、b
d、c
5、如图所示的功率放大电路中，已知管子由硅材料制作，饱和压降为3v，则晶体管发射极静态电位为（ ）v。
a、0
b、12
c、11.3
d、答案均不对
6、如图所示的功率放大电路中，已知管子的饱和压降为2v，则最大不失真输出时的集电极效率为（ ）。
a、68.7%
b、78.5%
c、50%
d、75%
7、如图所示的功率放大电路中，输入为正弦波时，输出电压出现交越失真，则应该调整（ ）。
a、调大电阻
b、调大电阻
c、调大电阻
d、答案均不正确
8、如图所示的功率放大电路中，已知管子的饱和压降为2v，最大不失真输出电压为（ ）v。
a、16
b、7
c、9
d、18
9、如图所示的功率放大电路中，已知管子的饱和压降为3v，为使输出功率最大，其输入电压的有效值约为（ ）v。
a、12
b、15
c、8.5
d、答案均不对
10、如图所示的功率放大电路中，已知管子的饱和压降为3v，最大不失真输出功率为（ ）w。
a、14.4
b、22.5
c、28.8
d、答案均不正确
11、乙类功率放大器中功率管工作在线性状态。
12、利用两只npn型管构成的复合管只能等效为npn型管。
13、如图所示的ocl电路，输出功率最大时，功放管的损耗最大。
14、在功率放大电路中，输出功率越大，功放管的功耗越大。
15、当ocl电路的最大输出功率为10w时，则功放管的集电极最大耗散功率必须大于10w。
16、功率放大电路的最大输出功率是在输出波形基本不失真时负载上能够获得的最大交流功率。
17、引入交流负反馈可以减小功率放大电路输出信号的非线性失真。
18、乙类推挽功率放大器的效率为78.5%。
19、某ocl功放的电源电压为±12v，负载为8ω的扬声器，饱和压降可以忽略，则扬声器上得到的最大输出功率为（ ）w。
20、如图所示的ocl电路，存在固有的（ ）失真。
21、图示电路中，二极管的作用是消除（ ）失真。
22、某ocl功放电路如图所示，已知电源电压为±12v，负载为8ω的扬声器，饱和压降可以忽略，该电路的最大损耗约为（ ）w。
23、在ocl乙类功放电路中，若最大输出功率为12w，则电路中功放管的集电极最大功耗约为（ ）w。
24、如图所示的功率放大电路中，已知管子的饱和压降为2v，若要求输出功率不小于4w，负载电阻为8欧，则该电路的电源电压至少应该为（ ）v。
25、如图所示的功率放大电路中，已知管子的饱和压降为2v，若要求输出功率不小于16w，负载电阻为8欧，则该电路的电源电压至少应该为（ ）v。
第六章 集成运算放大器集成运算放大器1、为了避免50hz电网电压的干扰进入放大器，应选用（ ）滤波电路。
a、带阻
b、带通
c、低通
d、高通
2、通用型集成运放的输入级多采用（ ）。
a、差分接法
b、共射（源）接法
c、共集（漏）接法
d、共基（栅）接法
3、集成运放电路采用直接耦合方式是因为（ ）。
a、集成工艺难于制造大容量电容
b、可获得很大的电压增益
c、可使温漂小
d、可使零漂小
4、如图所示的电路，如果输入信号为正弦信号，则输出信号为（ ）。
a、方波信号
b、同相的正弦信号
c、反相的正弦信号
d、三角波信号
5、如图所示的电路，如果输入信号为正弦信号，则输出信号为（ ）。
a、反相的正弦信号
b、同相的正弦信号
c、方波信号
d、三角波信号
6、图示电路中，已知，，则电压放大倍数为（ ）。
a、-5
b、5
c、6
d、-6
7、电路如图所示，已知，，若，则为（ ）mv。
a、100
b、-100
c、250
d、-250
8、图（a）所示的电路，输入电压波形如图（b）所示，设t=0时，电容c上的初始电压为零，则输出电压波形为（ ）。
a、三角波
b、方波
c、正弦波
d、锯齿波
9、图示电路的电压放大倍数为（ ）。
a、1
b、2
c、-2
d、答案均不正确
10、电路如图所示，设a1、a2均为理想运放，则该电路的电压放大倍数为（ ）。
11、电路如图所示，电压放大倍数为（ ）。
12、电路如图所示，电压放大倍数为（ ）。
13、电路如图所示，输出电压为（ ）mv。
14、电路如图所示，设晶体三极管，则输出电压的最大值为（ ）v。
15、电路如图所示，不考虑三极管的饱和压降，为使输出达到最大不失真输出电压，则输入电压的大小为（ ）v。
16、图示电路的电压放大倍数为（ ）。
17、图示电路的电压放大倍数为（ ）。
18、如图所示电路中，已知，要实现，则为（ ）。
19、如图所示电路中，已知，要实现，则为（ ）。
20、如图所示电路的电压放大倍数为（ ）。
21、如图所示电路的电压放大倍数为（ ）。
22、如图所示的电路，电压放大倍数为（ ）。
第七章 直流稳压电源稳压电源1、如图所示电路中，电容量足够大时，已知变压器次级电压有效值为u2=10v，测得输出电压uo的平均值为4.5v，则下列描述正确的是（ ）。
a、电容c和二极管同时开路
b、电容c开路
c、电路正常工作
d、负载开路
2、直流稳压电源的组成中，正确的电路组成顺序是（ ）。
a、交流电——电源变压器——整流——滤波——稳压——输出
b、交流电——电源变压器——整流——稳压——输出
c、交流电——电源变压器——滤波——整流——稳压——输出
d、交流电——整流——滤波——稳压——电源变压器——输出
3、电路如图所示，若，则为（ ）v。
4、电路如图所示，若，则为（ ）v。
5、直流稳压电源中，滤波电路应选用（ ）通电路。
6、三端稳压器7906的输出电压为（ ）v。
7、电路如图所示，若，则为（ ）v。
期末模拟电子线路基础1、p型半导体中多子为（ ）。
a、空穴
b、电子
c、电子-空穴对
d、不能确定
2、理想二极管电路如图所示，其输出电压为（ ）。
a、-6v
b、-1v
c、-2v
d、-5v
3、电路如图所示，rb增加，电压放大倍数将（ ）。
a、减小
b、增加
c、不变
d、不能确定
4、电路如图所示，如果电容ce开路，电路的电压放大倍数将（ ）。
a、减小
b、增加
c、不变
d、不能确定
5、图示电路中，已知，，当输入信号幅度增大到一定值时，电路将首先出现（ ）。
a、饱和
b、截止
c、饱和和截止
d、无法确定
6、电路如图所示，已知, , 电路的差模输入电阻为（ ）。
a、22k
b、11k
c、5.5k
d、2k
7、图示电路，是一个（ ）级放大器。
a、两
b、三
c、四
d、五
8、已知放大器的中频电压增益为40db，，，最大不失真输出电压幅度为10v，试问当输入信号为 v 时，放大器会（ ）。
a、产生线性失真，但无非线性失真
b、产生非线性失真，但无线性失真
c、产生线性失真和非线性失真
d、不产生失真
9、图示电路存在级间（ ）反馈。
a、电压串联正反馈
b、电压串联负反馈
c、电压并联负反馈
d、无
10、引入（ ）负反馈后，使得电压放大倍数稳定。
a、电压串联
b、电压并联
c、电流串联
d、电流并联
11、深度负反馈条件下，图示电路的电压放大倍数为（ ）。
a、
b、
c、
d、
12、图示电路存在级间（ ）反馈。
a、电压串联负反馈
b、电压并联负反馈
c、电流串联负反馈
d、另外三个选项都不对
13、电路如图所示，深度负反馈条件下的电压放大倍数为（ ）。
a、51
b、-51
c、50
d、-50
14、图示的4种复合管，正确的是（ ）。
a、b
b、a
c、c
d、d
15、某ocl功放电路如图所示，图中二极管的作用是（ ）。
a、消除交越失真
b、保护三极管
c、提高输出功率
d、提高第一级放大器放大倍数
16、电路如图所示，则输出电压为（ ）v。
a、7.5~15
b、5
c、0~15
d、0~-15
17、通用型集成运放的输入级多采用（ ）。
a、差分接法
b、共射（源）接法
c、共集（漏）接法
d、共基（栅）接法
18、如图所示的电路，如果输入信号为正弦信号，则输出信号为（ ）。
a、方波信号
b、同相的正弦信号
c、反相的正弦信号
d、三角波信号
19、如图所示的电路，电压放大倍数为（ ）。
a、5
b、4
c、-5
d、-4
20、某mosfet的各极电压如图所示，则此管工作在（ ）区。
a、恒定电阻区
b、预夹断
c、可变电阻区
d、已夹断
21、希望获得一个电流控制的电压源，应在放大器中引入（ ）负反馈。
a、电压并联
b、电压串联
c、电流并联
d、电流串联
22、图示电路中的稳压管特性相同，稳压值为8v，正向压降为0.7v。图（ ）接法的温度稳定性最好。
a、c
b、a
c、b
d、d
23、某放大器的交直流负载线如图所示，忽略晶体管的饱和压降，则最大不失真输出电压峰峰值为（ ）v。
a、6
b、12
c、3
d、无法确定
24、图示电路，若想电压放大倍数比较稳定，则应该在（）引入反馈支路，形成负反馈。
a、①和③之间
b、①和④之间
c、②和③之间
d、②和④之间
25、图示电路为改进型差分放大器，其中引入vt3的目的是（ ）。
a、增大共模抑制比
b、减小差模增益
c、减小共模抑制比
d、增大差模增益
26、电流源电路作为放大电路的有源负载，主要是为了提高（ ）。
a、电压放大倍数
b、电流放大倍数
c、输入电阻
d、输出电阻
27、晶体管值下降到1的频率，称为（ ）。
a、特征频率
b、共基截止频率
c、其他答案均错误
d、共射截止频率
28、集成电路中通常采用的耦合方式是（ ）。
a、电容耦合
b、直接耦合
c、变压器耦合
d、不确定
29、通用型集成运放的输入级多采用（ ）。
a、共基接法
b、共集接法
c、共射接法
d、差分接法
30、二极管击穿，一定会损坏二极管。
31、无外加电压时，pn结中没有载流子的运动。
32、晶体三极管在放大状态下有：发射结正偏，集电结反偏。
33、增强型绝缘栅场效应管初始时存在沟道。
34、共漏组态的放大器，其电压放大倍数约为1。
35、由于图示电路是单端输出，则其抑制共模信号的能力较差。
36、图示电路是一个共源-共集的两级放大器。（ ）
37、直接耦合放大器不能放大交流信号。
38、放大器引入负反馈，将使得输出电阻减小。
39、乙类功率放大器中功率管工作在非线性状态，因此存在失真。
40、p型半导体带正电，n型半导体带负电。
41、放大器的线性失真与输入信号频率大小有关。
42、放大器输入单一频率的信号时，一定不会产生失真。
43、直接耦合放大器的带宽为无穷大。
44、负反馈可以改善放大器的性能，相应的代价是使得放大倍数下降。
45、二极管正向应用时，直流电阻不随外加电压变化而变化。
46、稳压管的动态电阻越小，稳压性能越好。
47、两块不同类型的半导体（p型半导体与n型半导体）放在一起，可以构成pn结。
48、测得放大电路中晶体三极管三个电极的直流电位分别为：① 2.3v，② 3v，③ 6v， 则该晶体管为( )型管。
49、由于稳压二极管稳压时工作在反向击穿状态，因此呈现的电阻阻值较（ ）。
50、某放大电路在负载开路时的输出电压为6v，当接入4kω负载后，其输出电压降为4v，这表明该放大电路的输出电阻为（ ）kω。
51、在三种组态（共基、共射、共集）放大电路中，带负载能力最强的是（ ）。
52、电路如图所示，已知>>1，=0.7v，图中的为（ ）ma。
53、电路如图所示，已知=4ms，=。电路的输出电阻为（ ）。
54、电路如图所示，三极管的导通电压均为0.6v。约为（ ）ma。
55、差分放大器两个输入端分别输入电压50mv和10mv时，则共模输入电压（ ）mv。
56、电路如图所示，已知, , 电路的共模输入电阻为（ ）。
57、某放大电路的幅频特性渐进线波特图如图所示，由此可知下限频率为（ ）hz。
58、图示电路中，为了使得输出电压稳定，应引入（ ）负反馈。
59、串联负反馈只有在信号源内阻（ ）时，其反馈效果才显著。
60、某ocl功放电路如图所示，已知电源电压为±12v，负载为8ω的扬声器，饱和压降可以忽略，该电路的最大输出功率为（ ）w。
61、直流稳压电源中，滤波电路应选用（ ）通电路。
62、电路如图所示，若，则为（ ）v。
63、电路如图所示，电压放大倍数为（ ）。
64、电路如图所示，不考虑三极管的饱和压降，为使输出达到最大不失真输出电压，则输入电压的幅度为（ ）v。
65、图示电路的电压放大倍数为（ ）。
66、如图所示电路的电压放大倍数为（ ）。
67、电路如图所示，输出电压为（ ）mv。
68、如果将放大器的输出端短路，反馈消失，则此反馈为（）反馈。
69、放大器级数越多，带宽越（ ）。
70、测得放大电路中三极管三个管脚的对地电位分别为：①3.3v，②2.6v， ③15v，则该管的发射极电位为（ ）v。
71、若p沟道结型场效应管工作在放大状态，则栅极电位（ ）于源极电位。
72、串联负反馈只有在信号源内阻（ ）时，其反馈效果才显著。
73、某ocl功放的电源电压为±20v，负载为8的扬声器，管子的饱和压降为0，则扬声器上能得到的最大输出功率为（ ）瓦。
74、双极型晶体管是（ ）控制型器件。
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