第三讲 纳米电子材料和器件半导体纳米材料的带隙1、请简要描述半导体纳米颗粒带隙展宽的原因。
第四讲 纳米加工和纳米显微术扫描电子显微镜的成像1、扫描电子显微镜的背散射电子像是如何形成的?形貌像和成分像有什么区别?
sem图像分析1、请以下为扫描电镜的背散射电子探头采集的图像,请说明(a)(b)两图哪一个是成分像,哪一个是形貌像,并说明理由。
tem制样1、透射电子显微镜(tem)的样品有什么要求?
第六讲 量子点器件单元测验——量子点1、尺度____激子方可称量子点
a、<
b、>
c、=
d、≈
2、体材料的电子态密度呈______分布
a、连续
b、周期性
c、准连续
d、分立
3、区别于量子点和普通纳米颗粒的重要标志是有无___
a、表面效应
b、量子限域效应
c、小尺寸效应
d、隧道效应
4、量子限域效应是基于___不可忽略
a、原子的波动性
b、空穴的波动性
c、晶格缺陷
d、电子的波动性
5、以下哪种现象不是基于量子点的表面效应?
a、量子点表面悬挂键的形成
b、金量子点的准固体现象
c、铂量子点的催化作用
d、铝量子点遇空气爆燃
6、以下哪一种不属于量子点的外延生长方法?
a、离子束刻蚀法
b、mocvd
c、化学气相沉积法
d、mbe
7、以下量子点制备方法中哪一种最快捷,最便宜?
a、压印方法
b、外延生长方法
c、化学溶胶法
d、自组织生长方法
8、外延方法制备量子点的特征是___。
a、无序,尺度和形状有波动
b、无序,尺度和形状没有波动
c、有序,尺度没有波动,形状有波动
d、有序,尺度和形状有波动
9、压印方法生长量子点的特征是__。
a、迅速,污染,高密度,易形成缺陷
b、缓慢,污染,低密度,易形成缺陷
c、缓慢,低污染,低密度,不易形成缺陷
d、迅速,低污染,高密度,不易形成缺陷
10、量子点做催化剂主要应用的是其______效应。
a、表面
b、小尺寸
c、量子限制
d、宏观量子隧道
11、量子点的超顺磁性是基于_____效应
a、小尺寸
b、表面
c、能带展宽
d、rashiba
12、下列哪种量子点的性质不是基于小尺寸效应?
a、铜纳米颗粒极易爆燃
b、铂纳米微粒呈黑色
c、某些纳米微粒在特定条件下表现出超导电性
d、金纳米微粒熔点降低
13、外延生长过程中影响量子点形貌最重要的两个因素是__。
a、衬底温度
b、材料组分和总量
c、生长速率
d、暴露时间
14、随着结构的受限维度逐渐增加,电子能级的分布逐渐由___向分立过渡。
15、费米波长,即费米面附近的___波长。
16、量子限域的实验观察有如下手段: ___、拉曼振动光谱和光致发光谱。
17、一般通过____获取量子点的光致发光谱。
18、单电子器件利用的是量子点的_效应。
19、光伏电池利用的是量子点核壳结构的______效应。
单元作业——量子点1、对于碳、硅、碳化硅、氧化锌、砷化镓这几种材料,各自到什么尺度才可以称为量子点?请给出具体数值和理由。
2、量子点有多种优良特性,半导体量子点常有基于量子限制效应的辐射复合(如碳化硅量子点、石墨烯量子点等),从而导致强烈的发光,可以制备激光器。采用半导体量子点制备发光器件的过程中,量子点可以随意混合,或是团聚在一起吗?请说明原因
第七讲 微纳材料中的电子电子的局域化运动1、电子的局域化运动可能导致半导体纳米材料表现出哪些不同于宏观半导体材料的光学,电学或磁学性质?并具体阐述原理和过程。
第八讲 半导体激光器激光产生的条件1、a粒子数反转; b要有谐振腔,能起到光反馈作用,形成激光振荡;形成形式多样,最简单的是法布里——帕罗谐振腔。 c产生激光还必须满足阈值条件,也就是增益要大于总的损耗。
为什么四能级系统比三能级系统更易实现粒子数反转?1、为什么四能级系统比三能级系统更易实现粒子数反转?
led发光机理1、请简述led发光的原理。
2、发光二极管led与激光二极管ld在结构上有什么区别?
3、ld(激光二极管)中的粒子数反转是如何实现的?
第九讲 纳米ccd器件技术ccd的混色原理1、原色ccd和补色ccd在显示效果上有什么异同?请简述其原理。提示:考虑两种ccd的物理结构、混色原理、感光机理等,从色彩、分辨率等方面分析。
ccd的电荷储存机理1、请简述ccd的电荷储存原理。
第十讲 新型半导体量子器件库仑阻塞1、请叙述库仑台阶的产生过程。
2、单隧道结的单电子隧穿振荡是如何实现的?设纳米电容为c,电量为q。
第十一讲 柔性电子材料和oledoled的结构和原理1、小分子oled有哪几种基本构造?请大致描述以上基本构造。
2、请简述小分子oled的多层器件结构。
3、有机电致发光的过程是什么样的?
4、用于电致发光的有机材料应该具有哪些特性?
5、oled有哪些实现全色发光的方法?
期末测试期末测验1、以下哪个图象示意的是直接带隙?
a、a
b、b
c、c
d、d
2、以下哪个图象示意的是量子点的态密度?
a、a
b、b
c、c
d、d
3、以下哪个图象示意的是量子阱的态密度?
a、a
b、b
c、c
d、d
4、量子材料中载流子受到约束的根源是电子具有
a、波粒二象性
b、自旋
c、电负性
d、能级
5、在有机电致发光器件中,以下哪种性质不是有机发光层的材料必须具备的?
a、固态下有较强荧光
b、载流子传输性能好,量子效率高
c、热稳定性和化学稳定性佳
d、柔软可折叠
e、柔软可折叠 e、能够真空蒸镀
6、以下哪个图像显示的是量子线的态密度?
a、a
b、b
c、c
d、d
7、以下哪个图像示意了体材料的态密度?
a、a
b、b
c、c
d、d
8、直接带隙材料发生辐射复合时________.
a、放出光子
b、放出光子和声子
c、吸收声子,放出光子
d、吸收光子
9、间接带隙材料的辐射复合________.
a、放出光子,吸收或放出声子
b、放出光子,吸收声子
c、放出光子
d、吸收光子,放出声子
10、原色ccd的色彩分辨率比补色ccd高。
11、oled的层数越少,发光效率越高。
12、透射电子显微镜的分辨率普遍比扫描电镜高。
13、扫描电子显微镜可以直接操纵原子。
14、四能级系统比三能级系统更容易实现粒子数反转。
15、二能级系统中,电子可以在高能级缓慢聚集,发生粒子数反转。
16、久保理论可以用来解释金属纳米线的能级。
17、电子隧穿是许多电子的集体行为。
18、要控制和利用库仑阻塞效应,应该采用可变电压源来实现。
19、在gap中掺杂n原子可以形成等电子陷阱。
20、在inp中掺杂au原子可以形成等电子陷阱。
21、oled的发光效率只受到材料本身发光效率的影响。
22、电子显微镜电子束的聚焦是通过__________实现的
23、单电子晶体管的工作机理是______.
24、随着材料的尺度从宏观逐渐减小至纳米级,电子的能级分布由连续逐渐变为________ 状态。
25、cmos的全称是_
26、纳米图像传感器件的两种色彩记录机制分别是rgb和____。
27、库仑阻塞能本质上是前一个电子对后一个电子的 。
28、ccd的全称是_____________。
29、等电子陷阱俘获载流子,进而产生的激子类型是______
30、cmos工艺的两个核心是光刻和__________。
期末测试期末测验1、以下哪个图象示意的是直接带隙?
a、a
b、b
c、c
d、d
2、以下哪个图象示意的是量子点的态密度?
a、a
b、b
c、c
d、d
3、以下哪个图象示意的是量子阱的态密度?
a、a
b、b
c、c
d、d
4、量子材料中载流子受到约束的根源是电子具有
a、波粒二象性
b、自旋
c、电负性
d、能级
5、在有机电致发光器件中,以下哪种性质不是有机发光层的材料必须具备的?
a、固态下有较强荧光
b、载流子传输性能好,量子效率高
c、热稳定性和化学稳定性佳
d、柔软可折叠
e、柔软可折叠 e、能够真空蒸镀
6、以下哪个图像显示的是量子线的态密度?
a、a
b、b
c、c
d、d
7、以下哪个图像示意了体材料的态密度?
a、a
b、b
c、c
d、d
8、直接带隙材料发生辐射复合时________.
a、放出光子
b、放出光子和声子
c、吸收声子,放出光子
d、吸收光子
9、间接带隙材料的辐射复合________.
a、放出光子,吸收或放出声子
b、放出光子,吸收声子
c、放出光子
d、吸收光子,放出声子
10、原色ccd的色彩分辨率比补色ccd高。
11、oled的层数越少,发光效率越高。
12、透射电子显微镜的分辨率普遍比扫描电镜高。
13、扫描电子显微镜可以直接操纵原子。
14、四能级系统比三能级系统更容易实现粒子数反转。
15、二能级系统中,电子可以在高能级缓慢聚集,发生粒子数反转。
16、久保理论可以用来解释金属纳米线的能级。
17、电子隧穿是许多电子的集体行为。
18、要控制和利用库仑阻塞效应,应该采用可变电压源来实现。
19、在gap中掺杂n原子可以形成等电子陷阱。
20、在inp中掺杂au原子可以形成等电子陷阱。
21、oled的发光效率只受到材料本身发光效率的影响。
22、电子显微镜电子束的聚焦是通过__________实现的
23、单电子晶体管的工作机理是______.
24、随着材料的尺度从宏观逐渐减小至纳米级,电子的能级分布由连续逐渐变为________ 状态。
25、cmos的全称是_
26、纳米图像传感器件的两种色彩记录机制分别是rgb和____。
27、库仑阻塞能本质上是前一个电子对后一个电子的 。
28、ccd的全称是_____________。
29、等电子陷阱俘获载流子,进而产生的激子类型是______
30、cmos工艺的两个核心是光刻和__________。
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